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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2307CDS-T1-E3-VB場效應管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號: SI2307CDS-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:SI2307CDS-T1-E3-VB
絲印:VB2355
品牌:VBsemi
參數:
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大持續電流:-5.6A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)):47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1V
- 封裝:SOT23

詳細參數說明:
SI2307CDS-T1-E3-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件,具有-30V 的額定電壓和最大持續電流為-5.6A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現出色良好,分別為 47mΩ @ 10V 和 56mΩ @ 4.5V。此外,它的閾值電壓(Vth)為-1V。

應用簡介:
SI2307CDS-T1-E3-VB 通常用于電源管理和開關控制應用中,特別適用于需要 P 溝道 MOSFET 的電路。由于其 P 溝道特性,它可用于反相開關和負電源電路。SOT23 封裝使其易于集成到小型電子設備中。這種型號的 MOSFET 可以在各種領域的模塊中使用,如電源逆變器、電源開關、電池保護電路、移動設備和充電管理,以及其他需要負電源開關的應用。它的低導通電阻和高電流承受能力使其在高效率、低功耗應用中非常有用。

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