--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
- 型號 SGN19C210I2D
- 名稱 高壓-大功率GaN HEMT
- 產地 日本
- 封裝 SMT
--- 產品詳情 ---
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型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作,并為您提供更高的增益。此新產品非常適合用于1.9GHz LTE設計要求因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 SGN19C210I2D
名稱 高壓-大功率GaN HEMT
產地 日本
封裝 SMT
型號參數
高壓操作:VDS=50V
高功率:50.5dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:19dB(典型值)@f=1.6GHz
經驗證的可靠性
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