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EGN26C105I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號: EGN26C105I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 EGN26C105I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN26C105I2D

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMTEGN26C105I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬,適用于50V操作的高功率放大器,并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合在2.3GHz至2.7GHz的WiMAX和LTE設(shè)計要求,因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性使用。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    EGN26C105I2D
名稱                    用于基站的功率GaN>GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:50.3dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:17dB(典型值)@f=2.6GHz
經(jīng)驗證的可靠性


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