--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
- 型號 EGN26C160I2D
- 名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 SMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬,適用于50V操作的高功率放大器,并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合在2.3GHz至2.7GHz范圍內(nèi)使用LTE設(shè)計要求,因為它提供了高增益、長期可靠性和易于使用。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN26C160I2D
名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 SMT
型號參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:52.5dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:16dB(典型值)@f=2.6GHz
經(jīng)驗證的可靠性
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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