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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SQ2309ES-T1-GE3-VB場效應管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號: SQ2309ES-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: SQ2309ES-T1-GE3-VB

絲印: VB2658

品牌: VBsemi

### 詳細參數說明:

- **封裝類型:** SOT23
- **溝道類型:** P-Channel
- **額定電壓 (VDS):** -60V
- **最大持續電流 (ID):** -5.2A
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - @ VGS = 10V: 40mΩ
 - @ VGS = 20V: 未提供具體數值
- **閾值電壓 (Vth):** -2V

### 應用簡介:

SQ2309ES-T1-GE3-VB是一款SOT23封裝的P-Channel溝道場效應晶體管。由于其小封裝、小電流、負電源電壓的特性,適用于一些小功率、小信號的負載開關應用。

### 適用領域和模塊:

1. **小功率電源開關:** 適用于一些小功率負載開關模塊,如便攜式電子設備中的電源管理模塊。

2. **模擬開關:** 由于其小電流和小封裝,可用于模擬電路中的小功率開關,如信號選擇開關等。

3. **傳感器接口:** 在需要負電源電壓的傳感器接口電路中,SQ2309ES-T1-GE3-VB可用于實現小功率消耗的開關功能。

### 使用注意事項:

1. **電壓等級:** 在使用過程中,確保不要超過額定電壓-60V。

2. **電流限制:** 不要超過規定的最大持續電流,即-5.2A。

3. **閾值電壓:** 注意閾值電壓為-2V,在設計電路時需考慮適當的電壓范圍。

4. **散熱:** 由于其小功率特性,通常情況下不需要額外的散熱。

5. **靜電防護:** 在操作過程中,采取適當的靜電防護措施,以防止損壞晶體管。

請注意,這只是一個基本的概述,具體的設計和應用需要根據具體的項目需求和制造商的推薦進行。在使用該器件之前,請務必查閱相關的數據表和技術文檔以獲取詳細的信息和指導。

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