--- 產品參數 ---
- 耗散功率 200 mW
--- 產品詳情 ---
描述
HCPL-5731 是采用 8 引腳陶瓷 DIP 封裝且具有高可靠性的 H 類雙通道密封型光電耦合器,同時提供鍍金引腳、浸錫引腳及其他多種引腳形式選擇。請參閱數據表獲取詳細信息。該產品可以作為商業級搭配全部 MIL-PRF-38534 類 H 級測試購買或從 DLA SMD 5962-89785 中選購。HCPL-5731 在 MIL-PRF-38534 認證線路上進行生產和測試,并且被納入混合型微型電路 QML-38534 DLA 合格制造商名單中。每個通道都包含 GaAsP 發光二極管,可以通過光電耦合到集成的高增益光子探測器。高增益輸出級采用集電極開路輸出,既提供飽和電壓,也可以提供比常規光達靈頓光耦合其更高的信號傳輸速度。芯片工藝的淺深度和小結設計帶來比傳統光晶體管耦合器更佳的抗輻射能力。電源電壓可以低至 2.0V,而不會對參數性能產生不利影響。這些器件在輸入 0.5mA 電流時具有 300% 的最小 CTR,因此非常適用于低輸入電流應用,如 MOS、CMOS、低功耗邏輯接口或線路接收器。通過在 18V 電壓下指定的 Icch 和 Ioh 來確保與高壓 CMOS 邏輯系統的兼容性。該芯片組的單通道、雙通道或四通道封裝類型為 8 引腳 DIP 直插型和 16 引腳 DIP 直插型,16 引腳表面貼裝 DIP 扁平封裝以及 20 接點無引線陶瓷載體封裝。大部分器件可具有多種引腳類型和電鍍方案選擇。請參閱數據表獲取詳細信息。由于數據表中所列出每個器件的通道都使用相同電氣特性的芯片,包括發射器和探測器,因此幾乎所有產品的最大絕對規格、建議工作條件、電氣規格和性能特性等幾乎完全相同,如有基于封裝變化和限制造成的部分例外會予以標示。另外,所有器件也使用相同的封裝組裝工藝和材料,這樣的相似性可實現使用從一個部件上獲得的數據來代表其他部件的性能,以保證可靠性及部分有限輻射測試結果。
特性
·高可靠性、雙通道、8 引腳 DIP
·-55°C 到 +125°C 性能保證
·MIL-PRF-38534 H 類,QML-38534
·器件零件編號和 DLA 標準微型電路圖紙雙重標記
·高抗幅射能力
·可靠性數據
·提供 MIL-PRF-38534 K 類
·五種密封型封裝配置
·單通道和四通道器件(封裝可能不同)
·低輸入電流要求:0.5mA
·通常在 IF = 0.5mA 時,電流傳輸比高達到 1,500%
·低輸出飽和電壓:0.11V 典型值
·1,500 Vdc 耐壓
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