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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD220N06L3G-VB一種N溝道TO252封裝MOS管

型號: IPD220N06L3G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**詳細參數(shù)說明:**
- **型號:** IPD220N06L3G-VB
- **絲印:** VBE1638
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - 封裝類型: TO252
 - 溝道類型: N—Channel
 - 額定電壓(VDS): 60V
 - 額定電流(ID): 45A
 - 導通電阻(RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth): 1.8V

**應用簡介:**
這款N—Channel溝道MOSFET適用于中功率和中電壓的應用場景,常見于以下領域:

1. **電源開關模塊:** 適用于中等功率的電源開關模塊,提供可靠的開關控制。

2. **電源逆變器:** 在中功率電源逆變器中,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,例如中型逆變器或UPS系統(tǒng)。

3. **電機控制:** 在中功率電機驅(qū)動和控制模塊中,作為電流開關,用于實現(xiàn)電機的精確控制。

4. **電動汽車充電樁:** 在需要中等功率和電流的電動汽車充電樁中,用于控制電流和實現(xiàn)充電。

**使用注意事項:**
1. **封裝類型:** 確保正確選擇和處理TO252封裝,以確保焊接質(zhì)量和適當?shù)纳帷?/p>

2. **電壓和電流限制:** 不要超過額定的電壓和電流參數(shù),以防止器件損壞。

3. **散熱設計:** 在高功率應用中,需要有效的散熱設計,以確保器件工作在適當?shù)臏囟确秶鷥?nèi)。

4. **閾值電壓注意:** 了解并考慮閾值電壓,確保在實際應用中得到合適的電壓偏置。

在任何應用中,都應仔細閱讀產(chǎn)品手冊和規(guī)格書,以確保正確的使用和操作。

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