HMC8205BCHIPS是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，其主要技術(shù)參數(shù)如下：
頻率范圍：0.4 GHz至6 GHz
輸出功率：在頻率范圍內(nèi)，最大輸出功率為45.5 dBm (相當(dāng)于35 W)
功率附加效率(PAE)：在頻率范圍內(nèi)，功率附加效率為40%
電源電壓：VDD = 50 V，電流消耗為1300 mA
封裝類型：10 引腳 LDCC 封裝
這款放大器無需外部匹配即可在全頻段內(nèi)工作，無需外部電感即可實現(xiàn)放大器的偏置。同時，RFIN和RFOUT引腳的隔直電容已經(jīng)集成到了HMC8205BCHIPS中。它非常適合用于脈沖或連續(xù)
HMC8205BCHIPS與其他氮化鎵功率放大器相比，具有以下幾個顯著的特點：
寬帶設(shè)計：HMC8205BCHIPS可以在0.4 GHz至6 GHz的寬頻率范圍內(nèi)工作，無需進(jìn)行任何外部匹配，這在許多其他氮化鎵功率放大器中是不常見的。
高功率和高效率：這款放大器提供了高達(dá)45.5 dBm（相當(dāng)于35 W）的輸出功率和40%的功率附加效率，這在同類產(chǎn)品中是非常高的。
無需外部電感：HMC8205BCHIPS內(nèi)置了RFIN和RFOUT引腳的隔直電容，因此無需額外的外部電感就可以實現(xiàn)放大器的偏置。
緊湊的封裝：HMC8205BCHIPS采用了10引腳LDCC封裝，這種設(shè)計使得這款放大器非常適合于各種小型化的應(yīng)用場景。
