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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR2905ZTRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: IRFR2905ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi IRFR2905ZTRPBF-VB N—Channel MOSFET 參數(shù):
- 封裝:TO252
- 溝道類型:N—Channel
- 最大電壓:60V
- 最大電流:60A
- RDS(ON):9mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.87V

應用簡介:
該 N—Channel MOSFET 適用于需要 N—Channel 溝道的高功率應用,通常用于功率開關和電源管理電路。其低導通電阻和高開關速度使其在高性能電源設計中表現(xiàn)出色。

使用領域模塊:
1. 電源開關:用于高功率功率開關設計,如電源逆變器。
2. 電機驅動:適用于高功率電機控制系統(tǒng),如電動汽車電機驅動。
3. 汽車電子:在汽車電子系統(tǒng)中,用于功率開關和電源管理。

作用:
1. 提供 N—Channel 溝道,適用于不同極性的功率開關設計。
2. 用于高功率應用,如電源逆變器和電機控制系統(tǒng)。
3. 在高性能電源設計中實現(xiàn)低導通電阻和高效能。

使用注意事項:
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以避免損壞設備。
2. 在設計中考慮適當?shù)纳岽胧源_保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運行。
3. 避免超過最大額定電流和電壓,以防止設備過載。
4. 在使用過程中,注意靜電防護,避免損壞敏感元件。

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