**VBsemi STD5N20LT4-VB**
**詳細參數說明:**
- 類型: N溝道場效應管 (N-Channel MOSFET)
- 額定電壓(VDS): 200V
- 最大電流(ID): 4A
- 導通電阻(RDS(ON)): 810mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): 3.32V
- 封裝: TO252
**應用簡介:**
該器件適用于低電壓、中電流應用，特別是在以下領域模塊中發揮作用：
1. **電源開關:**
- 在低功率電源開關模塊中，用于開關電源以提供穩定的電壓輸出。
2. **LED照明:**
- 用于LED照明電源控制，實現高效的LED驅動。
3. **電源逆變器:**
- 適用于小型逆變器，如家用太陽能逆變器。
**使用領域:**
- 低功率電子設備
- LED照明
- 家用太陽能系統
**作用:**
- 提供可靠的電壓開關
- 降低功率損耗
- 在小型電源系統中實現高效能源轉換
**使用注意事項:**
1. 請按照數據手冊中的建議工作條件操作。
2. 注意閾值電壓的特定值，確保在設計中考慮這一參數。
3. 確保散熱設計足夠，以防止過熱。
4. 在設計中考慮電流和電壓的極限，以避免器件受損。
