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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AO4606A-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: AO4606A
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**AO4606A-VB**

**絲印:** VBA5325  
**品牌:** VBsemi  
**參數:** SOP8;N+P—Channel溝道, ±30V;9A / -6A;RDS(ON)=15mΩ / 42mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=±1.65V  

**封裝:** SOP8  

**詳細參數說明:**  
- **溝道類型:** N+P—Channel  
- **最大承受電壓:** ±30V  
- **最大電流:** 9A(正向) / -6A(反向)  
- **導通電阻:** 15mΩ(在VGS=10V時,正向) / 42mΩ(在VGS=20V時,反向)  
- **閾值電壓:** ±1.65V  

**應用簡介:**  
該器件為 N+P—Channel 溝道的 MOSFET,適用于需要同時控制正向和反向電流的模塊。可用于功率開關、電流控制和反向保護等應用。

**作用:**  
- 控制正向和反向電流。
- 在功率開關和反向保護電路中發揮關鍵作用。

**使用領域模塊:**
1. **功率開關模塊:** 用于構建高效能的功率開關,實現電流的正向和反向控制。
2. **電流控制模塊:** 在需要準確控制電流方向的電路中使用,確保電流穩定。
3. **反向保護模塊:** 用于防止反向電流對電路和設備的損壞。

**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規定的最大電壓和電流。
2. **極性注意:** 注意 N+P—Channel 溝道器件的正反電流特性。
3. **靜電防護:** 在處理和安裝時采取防靜電措施,以免損壞器件。

如有需要進一步了解或有其他問題,請告訴我。

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