CLF3H0060S-10 寬帶射頻功率 GaN HEMT
CLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內(nèi)使用。該器件采用耐熱增強型封裝，支持連續(xù)波和脈沖應用。
CLF3H0060S-10 特點和優(yōu)點
- 10 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT
- 高效率
- 低熱阻
- 出色的堅固性
- 專為 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內(nèi)的寬帶運行而設計
- 50 V 能力 10 W GaN-SiC HEMT，采用氣腔陶瓷封裝，采用無與倫比的配置
- 通過易于應用的軟件包提供靈活的性能
- 有關 RoHS 合規(guī)性，請參閱 Ampleon 網(wǎng)站上的產(chǎn)品詳細信息
- ADS 和 MWO 中的大信號模型可在 Ampleon 網(wǎng)站上找到
CLF3H0060S-10應用領域
- 寬帶戰(zhàn)術通信
- 寬帶對策
- 儀表放大器
- UHF、L 和 S 波段雷達
