VBsemi 2325GN-VB
**詳細參數說明:**
- 類型: P—Channel溝道 MOSFET
- 最大耐壓: -20V
- 最大電流: -4A
- RDS(ON): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓 (Vth): -0.81V
- 封裝: SOT23
**應用簡介:**
適用于需要 P—Channel 溝道 MOSFET 的電路和模塊，特別是在要求低阻抗、高電流的場合。
**示例應用:**
1. **電源管理模塊:** 用于電源開關、反向保護等。
2. **驅動器模塊:** 在電機驅動和功率放大電路中有廣泛應用。
3. **LED 驅動模塊:** 控制 LED 亮度和電流。
**適用領域:**
1. **消費電子:** 手持設備、充電器。
2. **汽車電子:** 車載電源管理、車燈控制。
3. **工業控制:** 電機控制、開關電源。
4. **通信設備:** 放大器、射頻功率放大器。
**注意:** 在設計中，請確保滿足電路的功耗、溫度和電流要求。
