1.概述W25N02KV（2G位）SLC QspiNAND閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。W25N QspiNAND系列融合了流行的SPI接口和傳統(tǒng)的大NAND非易失性存儲器空間。它們非常適合將代碼隱藏到RAM，直接從雙/四SPI（XIP）執(zhí)行代碼，并存儲語音、文本和數(shù)據(jù)。該設(shè)備使用2.7V至3.6V的單一電源供電，電流消耗低至25mA有源，10μa備用，1μa斷電。所有W25N QspiNAND系列設(shè)備都采用節(jié)省空間的封裝，這在過去是不可能用于典型的NAND閃存的。W25N02KV 2G位存儲器陣列被組織成131072個可編程頁，每個可編程頁2048字節(jié)。使用來自2048字節(jié)內(nèi)部緩沖器的數(shù)據(jù)，可以一次對整個頁面進行編程。頁面掃描以64為一組進行擦除（128KB塊擦除）。W25N02KV具有2048個可擦除塊。W25N02KV支持標(biāo)準(zhǔn)串行外圍接口（SPI）、雙/四路I/O SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O 0（DI）、I/O 1（DO）、I/O 2（/WP）和I/O 3（/HOLD）。當(dāng)使用快速讀取雙/四I/O指令時，支持高達104MHz的SPI時鐘頻率，允許雙I/O的等效時鐘速率為208MHz（104MHz x 2），四I/O的等效頻率為416MHz（104MHz x 4）。W25N02KV提供了一種新的順序讀取模式，允許通過單個讀取命令有效訪問整個存儲器陣列。保持引腳、寫入保護引腳和可編程寫入保護，提供了進一步的控制靈活性。此外，該設(shè)備支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID、一個唯一ID頁面、一個參數(shù)頁面和十個2048字節(jié)OTP頁面。為了提供更好的NAND閃存可管理性，W25N02KV中還提供了用戶可配置的內(nèi)部ECC。

2.特點? 新的W25N系列QspiNAND存儲器–W25N02KV:2G位/256M字節(jié)–標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–雙SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP，/Hold–四路SPI:CLK，/CS、IO0、IO 1、IO2、IO3–兼容SPI串行閃存命令? 最高性能串行NAND閃存–104MHz標(biāo)準(zhǔn)/雙/四SPI時鐘–208/416MHz等效雙/四SPI–50MB/S順序數(shù)據(jù)傳輸速率–快速編程/擦除性能–60000擦除/編程周期–10年數(shù)據(jù)保留? 低功率，寬溫度范圍-單個2.7至3.6V電源-25mA有源，10μA備用，1μA DPD（3）--40°C至+85°C工作范圍? 具有128KB塊的靈活架構(gòu)–統(tǒng)一的128K字節(jié)塊擦除–靈活的頁面數(shù)據(jù)加載方法? 高級功能–內(nèi)存陣列的片上8位ECC–ECC狀態(tài)位指示ECC結(jié)果–軟件和硬件寫保護–電源鎖定和OTP保護–唯一ID和參數(shù)頁（1）–10個2KB OTP頁（2）? 空間高效封裝–8焊盤WSON 8x6 mm–24球TFBGA 8x6 mm-16引腳SOIC 300 mil–其他封裝選項請聯(lián)系Winbond注：1。詳細信息請參見10.2.23和10.2.24。OTP頁面只能編程。DPD代表深度斷電