**VBsemi NCE4688-VB MOSFET**
**產品特點：**
- N+P-Channel溝道MOSFET
- 工作電壓：±60V
- 最大連續漏極電流：6.5A（N-Channel）、-5A（P-Channel）
- 典型漏極-源極導通電阻：28mΩ（N-Channel，VGS=10V）、51mΩ（P-Channel，VGS=10V）
- 門源極閾值電壓：±1.9V
- 封裝：SOP8
**詳細參數說明：**
VBsemi NCE4688-VB MOSFET是一款具有N+P-Channel溝道的雙溝道MOSFET，適用于雙電壓范圍內的應用。其工作電壓范圍為±60V，具有N-Channel最大連續漏極電流為6.5A和P-Channel最大連續漏極電流為-5A的特性。N-Channel典型漏極-源極導通電阻為28mΩ（在VGS=10V時），P-Channel為51mΩ（在VGS=10V時）。門源極閾值電壓為±1.9V，適用于各種電路控制應用。
**應用簡介：**
VBsemi NCE4688-VB MOSFET適用于需要N+P-Channel溝道MOSFET的雙電壓范圍內的場合，以下是一些典型應用場景：
1. **電源逆變模塊**：在電源逆變模塊中，這款MOSFET可用于負責電源逆變、電源開關和電源保護等功能。其雙溝道設計可以同時滿足正負電壓范圍內的逆變需求，提高了逆變器的效率和穩定性。
2. **電動汽車驅動模塊**：在電動汽車驅動系統中，VBsemi NCE4688-VB MOSFET可用于電機驅動、制動能量回收和電池管理等任務。其高電壓承受能力和大電流特性可以滿足電動汽車對功率器件的高要求。
3. **工業控制模塊**：在需要同時控制正負電壓的工業控制系統中，這款MOSFET可用于控制開關、電壓調節和電流限制等功能。其雙溝道結構和優異的性能可以提高工業控制系統的精確性和穩定性。
通過以上示例，可以看出，VBsemi NCE4688-VB MOSFET在電源逆變、電動汽車驅動和工業控制等領域具有廣泛的應用前景，可以為電子設備的性能提升和功能實現提供強大支持。
