型號：RQK0603CGDQATL-E-VB
絲印：VB1695
品牌：VBsemi
封裝：SOT23
**詳細參數說明：**
- 類型：N-溝道MOSFET
- 額定電壓（VDS）：60V
- 額定電流（ID）：4A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：85mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 閾值電壓（Vth）：1~3V
**應用簡介：**
RQK0603CGDQATL-E-VB是一款N-溝道MOSFET，廣泛應用于多種電源和功率管理領域。其特有的設計特性使其成為電子設備設計中的理想選擇。
**適用領域和模塊舉例：**
1. **電源模塊：** 由于RQK0603CGDQATL-E-VB具有高額定電壓和電流承載能力，適用于電源模塊的設計，如開關電源、直流-直流轉換器等。
2. **電機驅動：** 在需要控制電機的應用中，RQK0603CGDQATL-E-VB可以作為功率開關元件，用于電機驅動電路中。
3. **LED照明：** 適用于LED照明驅動電路，幫助實現高效的電能轉換和亮度控制。
4. **電池管理系統：** 在需要管理電池充放電的系統中，RQK0603CGDQATL-E-VB可用于電池保護電路，實現高效的電池管理。
5. **工業自動化：** 用于工業自動化設備中的功率開關電路，提供可靠的電力控制。
總體而言，RQK0603CGDQATL-E-VB適用于各種需要高性能MOSFET的應用場景，特別是在需要高電壓和電流的領域中，能夠為系統提供可靠的功率開關功能。
