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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2343CDS-T1-E3-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

型號: SI2343CDS-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: SI2343CDS-T1-E3-VB

絲印: VB2355

品牌: VBsemi

**參數:**
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: P-Channel
- 最大工作電壓: -30V
- 最大連續漏極電流: -5.6A
- 開啟電阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): -1V

**應用簡介:**
SI2343CDS-T1-E3-VB是一款P-Channel溝道的SOT23封裝型MOSFET,具有高性能和可靠性,適用于多種電源管理和開關電路應用。以下是該產品的詳細參數說明和應用簡介:

1. **電源管理模塊:** 由于其P-Channel MOSFET的特性,SI2343CDS-T1-E3-VB可用于電源管理模塊,包括電源開關、逆變器和穩壓器等應用。其低導通電阻和高漏極電流使其成為有效能量轉換的理想選擇。

2. **電池保護電路:** 在需要P-Channel MOSFET用于電池保護的應用中,SI2343CDS-T1-E3-VB可用于電池過充和過放保護電路,確保電池處于安全工作范圍內。

3. **DC-DC轉換器:** 適用于DC-DC轉換器,提供高效的能量轉換,適用于移動設備和電源適配器等領域。SI2343CDS-T1-E3-VB在-30V工作電壓下具有出色的性能。

4. **電源開關:** 用于各種電源開關應用,包括開關電源、電源適配器和電池供電設備等。

請注意,以上是一般的參數說明和應用簡介,具體的應用和模塊設計仍需根據具體的電路要求進行詳細的工程分析和設計。

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