LMG3425R050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
該LMG3425R050集成了硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合,可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉換速率,可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。
*附件:LMG3425R050 600 V 50 mΩ GaN FET,具有集成驅動器、保護和溫度報告功能數據表.pdf
高級電源管理功能包括數字溫度報告、故障檢測和理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告,從而簡化了器件負載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。理想二極管模式通過啟用死區時間控制來降低第三象限損耗。
特性
- 符合 JEDEC JEP180 硬開關拓撲的要求
- 600V 硅基氮化鎵 FET,帶集成柵極驅動器
- 強大的保護
- 逐周期過流和鎖存短路保護,具有 < 100ns 響應
- 在硬開關時可承受 720V 浪涌
- 針對內部過熱和 UVLO 監控進行自我保護
- 高級電源管理
- 數字溫度 PWM 輸出
- 理想二極管模式可降低第三象限損耗
方框圖
1. 產品概述
2. 主要特性
- ?高集成度?:集成硅驅動器,支持高達150V/ns的開關速度
- ?高效率?:硬開關拓撲下,相比離散硅柵極驅動器,具有更高的開關SOA
- ?保護功能?:過流保護、短路保護、過溫保護、欠壓鎖定(UVLO)監測、高阻抗RDRV引腳保護
- ?溫度管理?:數字溫度PWM輸出,理想二極管模式減少第三象限損耗
- ?封裝?:VQFN 54引腳封裝,尺寸12.00mm × 12.00mm
3. 電氣特性
- ?最大漏源電壓?:600V
- ?漏源導通電阻?(典型值):43.5mΩ(V
IN= 5V, TJ= 25°C) - ?最大漏極電流?:44A(RMS),96A(脈沖)
- ?柵極驅動電壓范圍?:7.5V至18V
- ?最大開關頻率?:3.6MHz
4. 保護功能
- ?過流保護?:閾值電流40A至60A,響應時間<100ns
- ?短路保護?:閾值電流60A至90A,響應時間<100ns
- ?過溫保護?:GaN FET過溫閾值175°C,驅動器過溫閾值185°C
- ?欠壓鎖定?(UVLO):VDD正向閾值電壓6.5V至7.5V,負向閾值電壓6.1V至6.5V
5. 溫度報告
6. 理想二極管模式
- ?操作模式?:在關斷狀態下自動最小化第三象限損耗,類似最優死區控制
- ?應用場景?:零電壓開關(ZVS)事件,如同步整流器和LLC轉換器
7. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:VQFN 54引腳
- ?尺寸?:12.00mm × 12.00mm
- ?熱阻?:結到殼(底部)平均熱阻0.88°C/W
8. 推薦工作條件
- ?供電電壓?:VDD 7.5V至18V
- ?輸入電壓?:IN 0V至18V
- ?漏極RMS電流?:32A
- ?正源電流?:LDO5V 25mA
9. 應用指南
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