資料介紹
摘 要:利用RFMEMS可變電容作為頻率調(diào)節(jié)元件,制備了中心頻率為2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可變電容采用凹型結(jié)構(gòu),其控制極板與電容極板分離,并采用表面微機(jī)械工藝制造,在2GHz時(shí)的Q值最高約為38.462.MEMSVCO的測試結(jié)果表明,偏離2.007GHz的載波頻率100kHz處的單邊帶相位噪聲為-107dBc/Hz,此相位噪聲性能優(yōu)于他們與90年代末國外同頻率器件.并與采用GaAs超突變結(jié)變?nèi)?a target='_blank' class='arckwlink_none'>二極管的VCO器件進(jìn)行了比較,說明由于集成了RFMEMS可變電容,使得在RFMEMS可變電容的機(jī)械諧振頻率近端時(shí),MEMSVCO的相位噪聲特性發(fā)生了改變.
關(guān)鍵詞:RFMEMS;可變電容;Q值;壓控振蕩器;單邊帶相位噪聲
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