隨著圖像傳感器設(shè)計：獲取一個清晰的畫面

　　而你的同行在營銷會唱“更多的像素是更好”的口號，抵制誘惑，塞壬的歌聲。他們往往錯了。

　　不久前，影像界最激烈的爭論是，如果（如果是的話），系統(tǒng)設(shè)計者應(yīng)該從傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器轉(zhuǎn)變?yōu)榕咛バ汀⒒贑MOS的后繼者。短短幾年的時間里，技術(shù)過渡幾乎完成了。除了最苛刻的應(yīng)用程序——分辨率、幀速率、低光靈敏度等等——都熱情地擁抱了cmos新貴。Digi-Key的支持產(chǎn)品線反映了這一現(xiàn)實，被沖洗的CMOS影像傳感器的公司如Aptina和OmniVision技術(shù)有限責(zé)任公司。

　　CMOS傳感器的優(yōu)勢僅僅是最新的案例研究穆爾Law的必然性。CCD傳感器的笨重的模擬電路的依賴意味著他們只能在特種工藝制造的支持下，由一個簡短的晶圓代工廠和俘虜晶圓廠供應(yīng)商。隨著時間的推移，這些專業(yè)過程也越來越不能跟上他們的商品CMOS同行的光刻進展，造成相當(dāng)高的成本每像素。最后，CMOS傳感器的常規(guī)工藝基礎(chǔ)使存儲器和邏輯處理塊與像素電路一起可選集成。

　　Sensor shortcomings

　　Just as things are rarely black-and-white in the engineering world， the transition to CMOS sensors has proven to be a mixed blessing. CMOS sensors display higher “dark current” than CCDs， resulting in poorer low-light performance and more restricted dynamic range. Also， CCDs directly output a per-pixel accumulated charge， which off-chip processing translates into corresponding voltage measurements and transforms from the analog to the digital domain.

　　Conversely， CMOS sensors embed the charge-to-voltage function blocks， along with amplification， A/D conversion， and other circuits， thereby negatively impacting the per-pixel fill factor — the percentage of each pixel‘s total silicon area devoted to photon capture versus other functions （see Figure 1）.