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智能電源IC及高能效功率電子技術的發展介紹

2755805 2017-11-13 | rar | 0.2 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

　　隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越來越高。在電壓高于 1 kV 的大功率晶體管方面，雙極結構已成為首選；低于 1 kV 電壓，特別是頻率高于 100 kHz 時，更多采用的是 MOSFET。高于此電壓的大電流應用則選擇 IGBT。

　　開發這類器件的主要挑戰在于，在開關頻率持續上升時，需要通過減小由導通阻抗導致的導電損耗、降低內部電容，以及改善反向恢復性能，將內部損耗降到最低。由于擊穿電壓更高及未鉗位開關特性（UIS）的緣故，提升擊穿強固性也非常重要。

　　智能電源 IC （Smart power IC）是一種在一塊芯片上將“智能”和“電源”集成起來的全新器件。它廣泛應用于包括電源轉換器、馬達控制、熒光燈整流器、自動開關、視頻放大器、橋式驅動電路以及顯示驅動等多個領域。

　　當前功率半導體封裝的主要趨勢是增強互連，包括旨在降低阻抗/寄生效應的晶圓級技術，以及增強型片上散熱。厚銅、金或鋁線邦定、緞帶（ribbon）/封裝黏著（clip bonding），以及功率優化的芯片級封裝（CSP），也在增強裸片與外部電極之間的電阻連接效率。圖 1 顯示了封裝技術的演進。

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