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本文針對QoVo的熱設計集成方法，利用了高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的建模、經驗測量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。這種方法是非常有效的，并已被經驗驗證。通過正確地解決FEA邊界條件假設和紅外顯微鏡的局限性，得到的模型計算在產品和最終應用水平上比基于低功率密度技術的傳統方法更精確。
從系統需求對越來越高的輸出功率放大器的需求導致了連續固態技術的改進。隨著技術朝著更高的能力邁進，驅動技術的應用也更加深入。幾年前瓦特10瓦的功率需求已經上升到50瓦和更高。碳化硅上的氮化鎵（GaN SiC）已經成為一種優越的器件技術，它具有高功率密度，典型地大于5W/mm柵極外圍，高漏極工作電壓，通常為20V至48伏，與傳統的相比，具有可比的增益和漏極效率。砷化鎵贗態高電子遷移率晶體管（PHEMT）技術。在更小的電路區域中獲得更多的功率的要求導致了GaN功率放大器產品的發展，該產品在產品和系統級都提供了熱的挑戰。
為了充分理解GaN技術的熱意義，已經開發了一種包括模具級電氣建模、經驗測量和有限元分析的多叉方法。本文將在四個部分中討論這種方法對GaN熱分析的影響：
熱建模和經驗測量，包括微拉曼測量；
熱分析，包括有限元分析（FEA），紅外顯微鏡的用途和局限性，以及使用RF測試的二次驗證；
芯片附著方法，包括在比較環氧樹脂與焊料時的接觸電阻，以及作為器件工作溫度的因素的芯片連接性能；以及
改進包裝選項從QoVo，包括氮化鎵銅，和氮化鎵塑料
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