無線系統(tǒng)用功率放大器

　　每個(gè)無線系統(tǒng)的最后輸出級(jí)包括某種形式的rf功率放大器（PA），以將信號(hào)發(fā)送到天線。根據(jù)無線系統(tǒng)使用的頻帶，輸出功率，和效率需要，設(shè)計(jì)師可以從功率放大器與范圍廣泛的技術(shù)–砷化鎵（GaAs）制作中選擇，磷化，硅鍺雙極，CMOS鎵銦氮化鎵（GaN），或。系統(tǒng)如手機(jī)；無繩電話；Wi-Fi、LTE和WiMAX，適配器；無線路由器和接入點(diǎn)；無線電纜更換；基站；中繼器；一鍵收音機(jī)；對(duì)講機(jī)；ZigBee和藍(lán)牙都有；在射頻功率輸出，顯著差異的頻帶，效率和成本的要求。因此，有各種各樣的PA選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化無線系統(tǒng)，使最佳的成本/性能權(quán)衡。

　　對(duì)于電池供電的系統(tǒng)，低操作和待機(jī)電流和高功率效率是關(guān)鍵的要求，因?yàn)殡娏飨暮托蕦@著影響系統(tǒng)的電池壽命。PA的效率越高，通話時(shí)間越長，Wi-Fi連接的持續(xù)時(shí)間越長。線路供電的系統(tǒng)，如基站、路由器和接入點(diǎn)通常需要更高的功率輸出，因而具有更高的有功電流。雖然效率仍然很重要，但它的原因不同。許多系統(tǒng)都是密封的外殼，空氣流動(dòng)最小，所以生熱是一個(gè)重要的問題。效率越高，散熱量越小，系統(tǒng)可靠性越好。

　　Of all the technologies， GaN High-Electron-Mobility Transistors （HEMT） shows a lot of promise for future system designs. Since GaN devices can operate at high temperatures （and thus can use smaller heat sinks） and handle high power levels， they are ideal candidates for mobile infrastructure systems （base stations） and WiMAX wireless applications. Currently， GaN-based PAs are more expensive than silicon solutions， but GaN’s enhanced performance and ability to operate at high frequencies （》 4 GHz） could bring the cost in line at the system level. Additionally， future manufacturing advances will also further reduce the cost of GaN. Let’s take a look at some of the amplifier offerings across various technologies.