改進的硅襯底發(fā)光二極管解決高固體照明成本

　　今天的高亮度LED的主要技術(shù)是氮化鎵（GaN）在藍寶石或碳化硅（SiC）襯底上。這些材料是受歡迎的，因為所得到的發(fā)光二極管明亮，高效，并持續(xù)很長一段時間。然而，芯片很難制造和封裝到可用的設(shè)備，乘以成本的最終產(chǎn)品，使用它們作為輕型發(fā)動機。雖然近年來價格直線下降，LED照明仍然是相當(dāng)昂貴的購買比傳統(tǒng)的替代品。這最初的費用被引用作為一個主要因素放緩接受固態(tài)照明（SSL）。

　　一個開創(chuàng)性的生產(chǎn)商小組努力通過用硅（Si）取代藍寶石或碳化硅襯底來降低大功率LED的成本，這種材料通常用于制造大多數(shù)電子芯片（“ICS”）。關(guān)鍵的好處是一個非常低的晶片成本供應(yīng)和機會使用8英寸晶圓廠折舊LED制造。結(jié)合起來，這些概念使LED價格大幅降低，克服消費者的反對。

　　Initially， technical challenges limited the performance of GaN-on-Si LEDs， making them unattractive for mainstream lighting. Now， some manufacturers， notably Toshiba， have introduced a new generation of these LEDs with vastly improved performance at a very competitive price， making them a viable alternative to conventional devices in many applications.

　　This article reviews the development of silicon-substrate LEDs and describes the latest generation of commercial devices.