裝晶片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統的金屬線鍵合連接方式（WireBonding）與植球后的工藝而言的。傳統的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉過來，故稱其為“倒裝晶片”。

　　倒裝芯片的實質是在傳統工藝的基礎上，將芯片的發光區與電極區不設計在同一個平面這時則由電極區面朝向燈杯底部進行貼裝，可以省掉焊線這一工序，但是對固晶這段工藝的精度要求較高，一般很難達到較高的良率。

　　倒裝晶片所需具備的條件：

　　①基材材是硅；②電氣面及焊凸在元件下表面；③組裝在基板后需要做底部填充。

　　倒裝芯片與與傳統工藝相比所具備的優勢：

　　通過MOCVD技術在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P/N結髮光區發出的光透過上面的P型區射出。由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結構可以從根本上消除上面的問題。

　　倒裝LED芯片技術行業應用分析：

　　近年，世界各國如歐洲各國、美國、日本、韓國和中國等皆有LED照明相關項目推行。其中，以我國所推廣的“十城萬盞”計劃最為矚目。路燈是城市照明不可缺少的一部分，傳統路燈通常采用高壓鈉燈或金鹵燈，這兩種光源最大的特點是發光的電弧管尺寸小，可以產生很大的光輸出，并且具有很高的光效。但這類光源應用在道路燈具中，只有約40%的光直接通過玻璃罩到達路面，60%的光通過燈具反射器反射后再從燈具中射出。