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雙面拋光已成為硅晶片的主要后續(xù)加工方法，但由于需要嚴(yán)格的加工條件，很難獲得理想
的超光滑表面。設(shè)計(jì)了硅片雙面拋光加工工藝新路線，并在新研制的雙面拋光機(jī)上對(duì)硅晶片進(jìn)行拋光加
工，實(shí)驗(yàn)研究了不同加工參數(shù)對(duì)桂晶片表面粗糙度和材料去除率的影響。采用掃描探針顯微鏡和激光數(shù)
字波面干涉儀分別對(duì)加工后的硅晶片進(jìn)行測(cè)量，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件下硅晶片可以獲得表面
粗糙度0.533nm 的超光滑表面。
的超光滑表面。設(shè)計(jì)了硅片雙面拋光加工工藝新路線，并在新研制的雙面拋光機(jī)上對(duì)硅晶片進(jìn)行拋光加
工，實(shí)驗(yàn)研究了不同加工參數(shù)對(duì)桂晶片表面粗糙度和材料去除率的影響。采用掃描探針顯微鏡和激光數(shù)
字波面干涉儀分別對(duì)加工后的硅晶片進(jìn)行測(cè)量，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件下硅晶片可以獲得表面
粗糙度0.533nm 的超光滑表面。
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