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大功率器件的關(guān)鍵是準(zhǔn)直器，而準(zhǔn)直器的關(guān)鍵是功率場的分
布，而光功率場的分布取決于加熱源溫度場的分布，本文提出的
加熱源可以提高光功率分布性能，從而廉價獲得高性能的擴(kuò)束方
法。
最近，隨著大功率器件的需求增加，對于大功率準(zhǔn)直器的研究
方興未艾。大家知道，光纖中芯的折射率N1 必須高于包層的折
射率N2, 這就決定了光的端面輸出是從接近芯開始，喇叭狀錐
形擴(kuò)散的。而典型的單模光纖的纖芯只有9mm 左右，所以功率
密度很大。以光功率500MW 計算，幾乎達(dá)到每平方厘米
1000000W，而在纖芯處更大，以致燒毀器件。所以要規(guī)定最大輸
入功率，例如300MW。
從上面可以看出，是不是大功率器件的關(guān)鍵是要看器件的功率
密度,也就是與器件的實際受光面積有關(guān)。所以做大功率器件的
關(guān)鍵是三個。一是看光纖出射面積，二是看透鏡以及靠近光纖端
面防反膜的承受功率，三是看器件的承受功率。但一般鍍膜用材
和方法都是規(guī)定的，除非化大代價解決膜層的功率密度極限值。
而器件本身由于光斑變大，光的功率密度變小，也問題不大。所
以最根本的辦法也是化最小代價的辦法是光纖芯的擴(kuò)大。
布，而光功率場的分布取決于加熱源溫度場的分布，本文提出的
加熱源可以提高光功率分布性能，從而廉價獲得高性能的擴(kuò)束方
法。
最近，隨著大功率器件的需求增加，對于大功率準(zhǔn)直器的研究
方興未艾。大家知道，光纖中芯的折射率N1 必須高于包層的折
射率N2, 這就決定了光的端面輸出是從接近芯開始，喇叭狀錐
形擴(kuò)散的。而典型的單模光纖的纖芯只有9mm 左右，所以功率
密度很大。以光功率500MW 計算，幾乎達(dá)到每平方厘米
1000000W，而在纖芯處更大，以致燒毀器件。所以要規(guī)定最大輸
入功率，例如300MW。
從上面可以看出，是不是大功率器件的關(guān)鍵是要看器件的功率
密度,也就是與器件的實際受光面積有關(guān)。所以做大功率器件的
關(guān)鍵是三個。一是看光纖出射面積，二是看透鏡以及靠近光纖端
面防反膜的承受功率，三是看器件的承受功率。但一般鍍膜用材
和方法都是規(guī)定的，除非化大代價解決膜層的功率密度極限值。
而器件本身由于光斑變大，光的功率密度變小，也問題不大。所
以最根本的辦法也是化最小代價的辦法是光纖芯的擴(kuò)大。
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