TTL全稱Transistor-Transistor Logic，即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結型晶體管，晶體三極管）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，后來出現了74H系列，74L系列，74LS，74AS，74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。 TTL門電路有74（商用）和54（軍用）兩個系列，每個系列又有若干個子系列。 TTL電平信號： TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進制規定，+5V等價于邏輯“1”，0V等價于邏輯“0”，這被稱做TTL（晶體管-晶體管邏輯電平）信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術。 TTL電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的，首先計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸對于電源的要求不高以及熱損耗也較低，另外TTL電平信號直接與集成電路連接而不需要價格昂貴的線路驅動器以及接收器電路；再者，計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是在高速下進行的，而TTL接口的操作恰能滿足這個要求。TTL型通信大多數情況下，是采用并行數據傳輸方式，而并行數據傳輸對于超過10英尺的距離就不適合了。這是由于可靠性和成本兩面的原因。因為在并行接口中存在著偏相和不對稱的問題，這些問題對可靠性均有影響。 TTL輸出高電平》2.4V，輸出低電平《0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平》=2.0V，輸入低電平《=0.8V，噪聲容限是0.4V。 TTL電路是電流控制器件，TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短（5-10ns），但是功耗大。

　　CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數字集成電路的基本單元。

　　CMOS集成電路介紹

　　自1958年美國德克薩斯儀器公司（TI）發明集成電路（IC）后，隨著硅平面技術的發展，二十世紀六十年代先后發明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標志著由電子管和晶體管制造電子整機的時代發生了量和質的飛躍。 MOS是：金屬-氧化物-半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。 目前數字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。 CMOS發展比TTL晚，但是以其較高的優越性在很多場合逐漸取代了TTL。 以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。 1.CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成 2.CMOS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差 4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門） 5.CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當。 集成電路中詳細信息： 1，TTL電平： 輸出高電平》2.4V，輸出低電平《0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平》=2.0V，輸入低電平《=0.8V，噪聲容限是0.4V。 2，CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。 3，電平轉換電路： 因為TTL和CMOS的高低電平的值不一樣（ttl 5v《＝＝》cmos 3.3v），所以互相連接時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什么高深的東西。 4，驅動門電路 OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外接上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動門電路。 5，TTL和CMOS電路比較： 1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。 2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短（5-10ns），但是功耗大。 CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長（25-50ns），但功耗低。 CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，芯片集越熱，這是正常現象。 3）CMOS電路的鎖定效應： CMOS電路由于輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，CMOS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀芯片。 防御措施： 1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。 2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。 3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。 4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟CMOS電路得電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉CMOS電路的電源。 6，CMOS電路的使用注意事項 1）CMOS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恒定的電平。 2）輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的 電流限制在1mA之內。 3）當接長信號傳輸線時，在CMOS電路端接匹配電阻。 4）當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。 5）CMOS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞CMOS。 7，TTL門電路中輸入端負載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）： 1）懸空時相當于輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。 2）在門電路輸入端串聯10K電阻后再輸入低電平，輸入端出呈現的是高電平而不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯電阻小于910歐時，它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來，串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電平。這個一定要注意。CMOS門電路就不用考慮這些了。 8，TTL和CMOS電路的輸出處理 TTL電路有集電極開路OC門，MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門，它的輸出就叫做開漏輸出。OC門在截止時有漏電流輸出，那就是漏電流，為什么有漏電流呢？那是因為當三機管截止的時候，它的基極電流約等于0，但是并不是真正的為0，經過三極管的集電極的電流也就不是真正的0，而是約0。而這個就是漏電流。開漏輸出：OC門的輸出就是開漏輸出；OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出的電流。所以，為了能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/驅動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。