STM32F103XC、STM32F103XD和STM32F103XE性能系列集成了高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC核心，工作頻率為72兆赫，高速嵌入式內存（閃存高達512千字節，SRAM高達64千字節），以及廣泛的增強型I/O和連接到兩個APB總線的外圍設備。S.所有設備都提供三個12位ADC、四個通用16位定時器和兩個PWM定時器，以及標準和高級通信接口：最多兩個I2c、三個SPI、兩個I2s、一個SDIO、五個USART、一個USB和一個CAN。

　　STM32F103XC/D/E高密度性能線系列在-40至+105°C的溫度范圍內工作，從2.0至3.6 V電源。一套全面的省電模式允許低功耗應用的設計。

　　這些特點使STM32F103XC/D/E高密度性能線微控制器系列適用于各種應用，如電機驅動、應用控制、醫療和手持設備、PC和游戲外圍設備、GPS平臺、工業應用、PLC、反相器、打印機、掃描儀、報警系統VIDEO對講機和暖通空調。

　　STM32F103XC/D/E高密度性能系列提供六種不同封裝類型的設備：從64針到144針。根據所選的設備，包括不同的外圍設備集，下面的描述概述了該系列中建議的整個外圍設備范圍。

　　STM32F103XC/D/E是一個完整的系列，其成員完全是針對針、軟件和功能兼容的。在參考手冊中，STM32F103X4和STM32F103X6被標識為低密度設備，STM32F103X8和STM32F103XB被稱為中密度設備，STM32F103XC、STM32F103XD和STM32F103XE被稱為高密度設備。

　　低密度和高密度設備是STM32F103X8/B中密度設備的擴展，它們分別在STM32F103X4/6和STM32F103XC/D/E數據表中指定。低密度設備具有較低的閃存和RAM容量，更少的計時器和外圍設備。高密度設備具有更高的閃存和RAM容量，以及其他外圍設備，如SDIO、FSMC、I2s和DAC，同時與該系列的其他成員完全兼容。

　　stm32f103x4、stm32f103x6、stm32f103xc、stm32f103xd和stm32f103xe是取代stm32f103x8/b設備的一種嵌入式設備，允許用戶嘗試不同的內存密度，并在開發周期中提供更大的自由度。

　　此外，STM32F103xx性能線系列完全兼容所有現有的STM32F101xx接入線和STM32F102xx USB接入線設備。