OB2623是一款高度集成的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制集成電路，針對(duì)高性能、低待機(jī)功耗以及經(jīng)濟(jì)高效的離線反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，適用于高達(dá)30W的功率范圍。 PWM開(kāi)關(guān)頻率和正常工作頻率可通過(guò)外部編程，調(diào)整至緊密范圍。在空載或輕載條件下，該集成電路工作在擴(kuò)展“突發(fā)模式”，以最小化開(kāi)關(guān)損耗。較低的待機(jī)功耗實(shí)現(xiàn)了更高的轉(zhuǎn)換效率，從而實(shí)現(xiàn)低功耗啟動(dòng)。 VDD啟動(dòng)電流低，工作電流低，有助于OB2623實(shí)現(xiàn)可靠的啟動(dòng)設(shè)計(jì)。在啟動(dòng)電路中可使用一個(gè)大阻值電阻來(lái)降低待機(jī)功耗。 內(nèi)部斜率補(bǔ)償可改善系統(tǒng)的大信號(hào)穩(wěn)定性，并減少高PWM占空比輸出時(shí)可能出現(xiàn)的次諧波振蕩。前沿消隱（LEB）電路消除了信號(hào)抖動(dòng)對(duì)初級(jí)側(cè)電流檢測(cè)的影響，從而大幅減少了外部組件數(shù)量和系統(tǒng)成本。 OB2623提供全面的保護(hù)功能，具備自動(dòng)自恢復(fù)功能，包括逐周期電流限制（OCP）、過(guò)負(fù)載保護(hù)（OLP）、過(guò)壓鉗位和欠壓鎖定（UVLO）。柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓鉗位至最高18V，以保護(hù)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。 通過(guò)開(kāi)啟前沿調(diào)制頻率轉(zhuǎn)換技術(shù)，并結(jié)合圖騰柱的軟開(kāi)關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)了出色的電磁干擾（EMI）性能。