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摘要：在Synopsys TCAD軟件環(huán)境下，結(jié)合中國科學(xué)院微電子研究所0．8Um標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝條件對于高壓CMOS器件進(jìn)行了工藝和器件模擬。由于考慮到與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的兼容性，高壓CMOS器件均采用LDMOS結(jié)構(gòu)；根據(jù)RESURF技術(shù)，對于器件的漂移區(qū)進(jìn)行了優(yōu)化。器件模擬結(jié)果表明，高壓NMOS器件源漏擊穿電壓為220V；閾值電壓和驅(qū)動能力分別為0．8V和1×10的4次方A／Um。高壓PMOS器件源漏擊穿電壓為一135V；閾值電壓和驅(qū)動能力分別為-9．7V和1．8×10的4次方A／Um。高壓CMOS器件的研制可為進(jìn)一步研制FED和PDP平板顯示高壓驅(qū)動電路奠定基礎(chǔ)。
關(guān)鍵詞：顯示驅(qū)動；高壓CMOS器件；0．8Um CMOS工藝；模擬
關(guān)鍵詞：顯示驅(qū)動；高壓CMOS器件；0．8Um CMOS工藝；模擬
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