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高效率開關(guān)電源設(shè)計(jì)思路：一、開關(guān)電源損耗分析與減小的方法
變換器的損耗主要是開關(guān)管的損耗
1. 開關(guān)管的導(dǎo)通損耗；
2. 開關(guān)管的開關(guān)損耗。
開關(guān)管的導(dǎo)通損耗
其中的電壓和電流均為有效值。矩形波是占空比與有效值的關(guān)系，降低開關(guān)管的導(dǎo)通電壓可以有效地，降低導(dǎo)通損耗
1. 對于 MOSFET 而言，降低導(dǎo)通電阻可以有效降低導(dǎo)通損耗。例如將 IRF840 換成 IRF740 可以將導(dǎo)通電阻從 0.8 0.8Ω降低到 0.55 0.55Ω，導(dǎo)通損耗可以，降低 40% 以上；如果采用 CoolMOS 的SPP07N06C3 （RDS DS
（ON ON）=0.6 =0.6Ω）替代 ）IRFBC40 IRFBC40（RDS DS（ON ON）
=1.2 1.2Ω）導(dǎo)通損耗可以降低一半。
變換器的損耗主要是開關(guān)管的損耗
1. 開關(guān)管的導(dǎo)通損耗；
2. 開關(guān)管的開關(guān)損耗。
開關(guān)管的導(dǎo)通損耗
其中的電壓和電流均為有效值。矩形波是占空比與有效值的關(guān)系，降低開關(guān)管的導(dǎo)通電壓可以有效地，降低導(dǎo)通損耗
1. 對于 MOSFET 而言，降低導(dǎo)通電阻可以有效降低導(dǎo)通損耗。例如將 IRF840 換成 IRF740 可以將導(dǎo)通電阻從 0.8 0.8Ω降低到 0.55 0.55Ω，導(dǎo)通損耗可以，降低 40% 以上；如果采用 CoolMOS 的SPP07N06C3 （RDS DS
（ON ON）=0.6 =0.6Ω）替代 ）IRFBC40 IRFBC40（RDS DS（ON ON）
=1.2 1.2Ω）導(dǎo)通損耗可以降低一半。
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