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此參考設(shè)計(jì)旨在給輸入電壓范圍為4.5V至17.0V的MSP430器件供電。
本應(yīng)用報(bào)告闡述了如何使用合理的板載布局及/或緩沖電路(snubber)來(lái)減少升壓轉(zhuǎn)
換器轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)上的高頻振鈴。
The circuit in Figure 1 shows the boost converter’s critical loop created by the parasitic inductances and capacitances, labeled as LPAR and CPAR reference designators. The node where the two switches and inductor of a switching converter meet is called the switch node. It is not uncommon for the parasitic inductances and capacitances to interact and cause voltage oscillations in the 200-MHz+ range at the switch node. If the amplitude of this ringing is above the absolute maximum rated voltage of the low-side switch, it can be destructive to the switch. In addition, the conducted emissions and/or electromagnetic
interference
本應(yīng)用報(bào)告闡述了如何使用合理的板載布局及/或緩沖電路(snubber)來(lái)減少升壓轉(zhuǎn)
換器轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)上的高頻振鈴。
The circuit in Figure 1 shows the boost converter’s critical loop created by the parasitic inductances and capacitances, labeled as LPAR and CPAR reference designators. The node where the two switches and inductor of a switching converter meet is called the switch node. It is not uncommon for the parasitic inductances and capacitances to interact and cause voltage oscillations in the 200-MHz+ range at the switch node. If the amplitude of this ringing is above the absolute maximum rated voltage of the low-side switch, it can be destructive to the switch. In addition, the conducted emissions and/or electromagnetic
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