Anti-Tamper Memory

　　防篡改保護概述

　　電子系統通常攜帶敏感信息，如密碼，個人數據，加密密鑰，或IPS。攻擊者試圖通過進入系統訪問這些數據。安全系統的設計，使授權訪問通過密碼輸入，并采取行動，以保護寶貴的數據或破壞敏感數據的檢測篡改企圖。需要保護數據的系統的例子是安全攝像機或黑匣子記錄器，其中存儲的數據不應該被修改，和自動取款機或POS系統，個人數據不應該被允許訪問。然而，它往往是一個挑戰，破壞數據存儲在低功耗存儲設備。因為低功耗SRAM的設計具有低漏電流，它們能夠保持數據即使在電源引腳電壓。因此，移除或向地面短路是不夠的，以損壞存儲的數據。它需要在電源引腳上的負電壓的應用，以節省在存儲單元中的電荷。

　　一個理想的防篡改內存必須有密碼輸入功能，在篡改的情況下，它應該能夠保護數據，而不允許未經授權的訪問或自毀，這取決于應用程序的要求。它也必須快速，使破壞過程完成之前中斷或進一步篡改。

　　nvSRAM – the solution

　　nvSRAM is a fast nonvolatile memory with an SRAM interface. The SRAM interface gives the nvSRAM a very high speed read and write access （down to 20 ns） and enables the nvSRAM to be infinitely written or read. If the power goes down， the data held in SRAM is transferred to the nonvolatile elements integrated with each SRAM cell using the charge stored in a small capacitor. On power up， the data is automatically transferred back to the SRAM. The parallel transfer of data from SRAM to the integrated nonvolatile elements means that the STORE （transfer of SRAM data to nonvolatile elements） takes time equivalent to only one EEPROM write operation. Store operation and recall （transfer of NV data to SRAM） operation can also be done through software commands.