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發(fā)視頻MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)詳細(xì)資料說(shuō)明
資料介紹
當(dāng)今多種 MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù) MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸，對(duì)如何將 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與 MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說(shuō)明，實(shí)際上顯得頗為困難，甚至不可能。與任何設(shè)計(jì)決策一樣，在為您設(shè)計(jì)中的 MOSFET 選擇合適的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器時(shí)，需要考慮幾個(gè)變量。需要考慮的參數(shù)至少需要包括輸入至輸出的傳輸時(shí)延、靜態(tài)電流、抗閉鎖和電流驅(qū)動(dòng)能力。驅(qū)動(dòng)器的功率消耗也影響著封裝的決定和驅(qū)動(dòng)器的選擇。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與 MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗。還將討論如何根據(jù) MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時(shí)間將 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力與 MOSFET 柵極電荷相匹配。 Microchip 提供許多不同種類的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，它們采用不同的封裝，因此可以使設(shè)計(jì)者為應(yīng)用中的 MOSFET 選擇最合適的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。
對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無(wú)論充放電過(guò)程快或慢 （柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影響由 MOSFET 柵極的容性負(fù)載產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)器功耗。
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