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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>音視頻類(lèi)>大面積白光OLED器件

大面積白光OLED器件

2008-10-25 | rar | 555 | 次下載 | 5積分

資料介紹

大面積白光OLED器件
本文介紹了一種發(fā)出1200流明光的照明型大面積白光面板。該器件采用由藍(lán)色OLED發(fā)光向下轉(zhuǎn)換的技術(shù)方法獲得,器件為容錯(cuò)型單片串連式結(jié)構(gòu)。該器件的高發(fā)光效率表面聚合物得單/三線態(tài)發(fā)光效率可以突破25%。

器件結(jié)構(gòu):
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圖1 白光器件結(jié)構(gòu)

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圖2 白光器件發(fā)光光譜

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圖3 由3個(gè)發(fā)光單元組成的單片單片串連式結(jié)構(gòu)中發(fā)光單元相互連接的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。每個(gè)發(fā)光單元的活性面積由夾在ITO和陰極間的有機(jī)層的區(qū)域界定。
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圖4 采用單片串連式結(jié)構(gòu)的藍(lán)色OLED器件的性能


圖5 采用單片串連式結(jié)構(gòu)的白色OLED器件的性能
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圖6 大面積OLED示范板及性能參數(shù)

SID 05 DIGEST
4.2高效頂發(fā)射白光有機(jī)電致發(fā)光器件
Shih-Feng Hsu
Dept. of Applied Chemistry, National Chiao Tung University(臺(tái)灣交通大學(xué)), Hsinchu, Taiwan
Shiao-Wen Hwang and Chin H. Chen
Display Institute, Microelectronics and Information Systems Research Center
National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan
通過(guò)調(diào)整陽(yáng)極和陰極結(jié)構(gòu)本文研制了一種寬光譜高效白光頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。為了緩解不期望的微腔效應(yīng)并獲得寬光譜白光發(fā)射,器件陽(yáng)極采用CFx覆蓋銀修正反射率,陰極采用折射率匹配層SnO2覆蓋的最大透過(guò)率為80%的Ca/Ag層。這個(gè)基於藍(lán)光黃光雙層結(jié)構(gòu)的頂發(fā)射寬光譜白光器件最高電致發(fā)光效率為22.2 cd/A (9.6 lm/W),此時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓為7.3V,電流密度為20 mA/cm2,色座標(biāo)為(x =0.31, y =0.47)。
器件結(jié)構(gòu):
Device A:Ag (200 nm)/ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)

Device B:ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)

Device C: Ag (200 nm)/ CFx /ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)
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圖1 本實(shí)驗(yàn)所用主要材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)和三中頂發(fā)射器件的器件結(jié)構(gòu)(A傳統(tǒng) B透明 C電極修正)

表1 器件A, B,C在 20mA/cm2下的電致發(fā)光性能
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圖2 3個(gè)頂發(fā)射器件的電致發(fā)光光譜

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圖3 器件C在0,30, 60度視角下的電致發(fā)光光譜

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圖4 器件A, B, C的電壓-電流-亮度曲線


制備在低溫多晶矽底板上的白光頂發(fā)射OLED器件照片

SID 05 DIGEST
4.3: 基於白光OLED器件的長(zhǎng)壽命-低功耗紅綠藍(lán)白顯示
Jeffrey P. Spindler, Tukaram K. Hatwar, Michael E. Miller, Andrew D. Arnold, Michael J. Murdoch, Paul J. Kane, John E. Ludwicki, and Steven A. Van Slyke
Eastman Kodak Company(柯達(dá)公司), Rochester, NY, USA

?? 本文描述了采用紅綠藍(lán)白圖元格式的低功耗、長(zhǎng)壽命全彩OLED顯示技術(shù)。所得高效、穩(wěn)定白光器件,色度得到了優(yōu)化基本達(dá)到D65白點(diǎn)顯示,同時(shí)滿(mǎn)足了低功耗和穩(wěn)定發(fā)光的要求。并且,討論了一種新的采用次級(jí)樣品紅和藍(lán)子圖元增加紅綠藍(lán)白顯示壽命的技術(shù)途徑。

表1 不同種類(lèi)復(fù)合白光制備紅綠藍(lán)白和紅綠藍(lán)全彩器件的性能比較
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圖1基於兩種不同復(fù)合白色發(fā)光的紅綠藍(lán)和紅綠藍(lán)白樣機(jī)的功耗比較圖

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圖2紅綠藍(lán)和紅綠藍(lán)白OLED顯示的以開(kāi)口率為函數(shù)的預(yù)期壽命曲線

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圖3 (a)常規(guī)紅綠藍(lán)白條紋圖元圖形(b)次級(jí)紅綠藍(lán)白條紋圖元圖形

SID 05 DIGEST
4.4:具有最高能量效率最長(zhǎng)壽命的新型全彩OLED顯示
Jan Birnstock, Michael Hofmann, Sven Murano, Martin Vehse, and Jan Blochwitz-Nimoth Novaled GmbH, Tatzberg 49, D-01307 Dresden, Germany(德國(guó))
Qiang Huang, Gufeng He, Martin Pfeiffer, and Karl Leo
Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, Georg-Baehr-Str. 1, D-01069
Dresden, Germany

?? 本文報(bào)導(dǎo)了一組用於全彩顯示的頂發(fā)射PIN-OLED(包含一個(gè)P型摻雜的空穴傳輸層,一個(gè)本征傳導(dǎo)發(fā)光層,和一個(gè)N型摻雜電子傳輸層的OLED)器件。對(duì)應(yīng)于紅,綠,藍(lán)二極體,亮度為1000cd/m2的能量效率分別達(dá)到11 lm/W, 70 lm/W, 和8.4 lm/W。500cd/m2亮度下,磷光底發(fā)射PIN-OLED的壽命為30000小時(shí),由此可以看出采用電荷載流子摻雜可以獲得更長(zhǎng)壽命的器件。用新分子N摻雜材料NDN-1代替Cs可以獲得更高的器件穩(wěn)定性。同時(shí),本文報(bào)導(dǎo)了一種白光底發(fā)射OLED,色座標(biāo)為0.35,0.37(95年色座標(biāo)),1000cd/m2下,能量效率達(dá)到16.3 lm/W。
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圖1 紅色磷光頂發(fā)射器件的電壓-亮度曲線

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圖2綠色磷光頂發(fā)射器件的電壓-亮度曲線

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圖1 藍(lán)色螢光頂發(fā)射器件的電壓-亮度曲線

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圖4 以上3個(gè)器件的色座標(biāo)位置圖
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表1頂發(fā)射和底發(fā)射紅綠藍(lán)器件的性能比較

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