詳細(xì)說明

　　電源

　　為了方便系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，需要的tas5715除了只有3.3 V電源（典型）18-V功率級供應(yīng)。內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)器為柵極驅(qū)動電路提供合適的電壓電平。此外，所有需要通過內(nèi)置引導(dǎo)來容納浮動電壓供應(yīng)的電路，例如，高側(cè)柵極驅(qū)動器。電路只需要幾個外部電容器。

　　為了提供良好的電氣和聲學(xué)特性，PWM信號路徑的輸出級設(shè)計(jì)為相同的，獨(dú)立半橋。為此，每個半橋有單獨(dú)的引導(dǎo)引腳（bst_x）和功率級電源引腳（pvdd_x）。柵極驅(qū)動電壓（gvdd_ab和gvdd_cd）是來自PVDD電壓。應(yīng)特別注意放置所有去耦電容接近他們的相關(guān)引腳盡可能。一般來說，電感之間的電源引腳和去耦必須避免電容器。

　　對于一個正常運(yùn)作的引導(dǎo)電路，一個小陶瓷電容必須連接到每個引導(dǎo)引腳（bst_x）的功率級輸出引腳（out_x）。當(dāng)功率級輸出低，自舉電容通過收取連接?xùn)艠O驅(qū)動調(diào)節(jié)器輸出引腳之間的內(nèi)部二極管（gvdd_x）和引導(dǎo)針。當(dāng)功率級輸出高，自舉電容電位轉(zhuǎn)移以上的輸出潛力，從而提供了一個合適的高側(cè)柵極驅(qū)動器的電壓供應(yīng)。在一個應(yīng)用程序與PWM開關(guān)頻率范圍從352千赫到384千赫，建議使用33 NF陶瓷電容器，大小0603或0805，為引導(dǎo)供應(yīng)。這33個NF電容確保足夠的能量存儲，即使在最小的PWM占空比，使高側(cè)功率級FET（LDMOS）完全打開時PWM周期的剩余部分。

　　特別要注意的電源級電源，這包括組件選擇，PCB布局和路由。如，每個半橋有獨(dú)立的電源供應(yīng)引腳（pvdd_x）。對于最佳的電氣性能，符合EMI，和系統(tǒng)的可靠性，每個pvdd_x引腳是很重要的解耦與100 NF陶瓷電容放置盡可能接近每個電源引腳。的tas5715完全防止錯誤的功率級開啟由于寄生柵極充電。