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　　如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢？
　　
　　將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
　　前段時間學(xué)習(xí)Msos，看到其中使用的參數(shù)存儲的方法設(shè)計的很好，它將參數(shù)的變量地址與值，一同存儲入Flash中。出彩之處是使用參數(shù)的變量地址來標(biāo)記不同的變量。
　　一、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)
　　這種存儲方式使用兩個數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：
　　typedef struct
　　{
　　uint Address; //參數(shù)變量的地址
　　uint Data; //參數(shù)變量的值
　　}CellStruct;
　　要存儲某個變量，需要將這個變量的地址和它的值一同存儲到存儲區(qū)。這種存儲方式的核心就是這個數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這樣就可以使用*（（uint *）（Address）） = Data 直接將存儲值賦值給對應(yīng)的變量。簡單的說就是根據(jù)地址值來標(biāo)記各個不同的參數(shù)。
　　2.存儲區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)
　　typedef struct {
　　
　　二、代碼解析
　　這種存儲方式的使用兩個函數(shù)：
　　讀取存儲區(qū)中的變量值并更新變量的值
　　變量的存儲函數(shù)
　　2.1 參數(shù)的讀取
　　
　　流程圖如上，主要步驟如下：
　　根據(jù)Flash中存寫的變量地址，更新變量的值；
　　將Flash中存寫的地址值存入臨時數(shù)組中，并根據(jù)地址值判斷是否存在重復(fù)存儲的無效數(shù)據(jù)，并將無效數(shù)組失效；
　　清空Flash存儲區(qū)，將臨時數(shù)組中有效的變量重新存入Flash中。
　　通過這些步驟，將存儲區(qū)中存儲的變量讀出，并將存儲區(qū)中的重復(fù)的無效數(shù)據(jù)清除。下面是源代碼：
　　#define pUint（address） *（（uint *）（address）） #define PageSize 1024 //Stm32F103R8T6 1Page=1024Byte #define ParameterAddress （FLASH_BASE + （63 * 1024）） #define ParameterSpace PageSize / 4 / 2 static void ReadAllParameter（void） { bool CleanFlag; int i， j;
　　
　　2.2 參數(shù)的寫入
　　參數(shù)的寫入就很簡單了，根據(jù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的寫入點，將變量的地址與值寫入Flash中。
　　static bool WriteParameter（void * dataPointer）
　　2.3 使用方法
　　使用方法：
　　每次上電啟動時，調(diào)用讀取全部變量的函數(shù)；
　　修改某個參數(shù)的時候，調(diào)用寫參數(shù)函數(shù)；
　　三、注意事項
　　在讀取參數(shù)時，需要在RAM中建立一個ParameterSpace大小的數(shù)組，如果這個值太大，會超過棧的大小，使得內(nèi)存溢出。因此存儲區(qū)不能開辟的太大。
　　
　　四、總結(jié)
　　這種方式使用簡便，尤其是在更新變量值時，根據(jù)存儲的變量地址更新相應(yīng)的值。其實其本質(zhì)與我們使用變量名來標(biāo)記不同的變量是一樣的。不過也有缺點：
　　首先其同時存儲變量的地址與變量的值，相當(dāng)于多使用一倍的存儲空間；
　　像上面的注意事項中說的，存儲區(qū)不能開辟的過大，否則會使臨時數(shù)組超過棧的大小。
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