特性

　　? 單電壓讀寫操作

　　– 2.7-3.6V

　　? 串行接口架構(gòu)

　　– 兼容 SPI：模式 0 和模式 3

　　? 高速時鐘頻率

　　– 高達(dá) 80 MHz

　　? 超高可靠性

　　– 可擦寫次數(shù)：100，000 次 – 數(shù)據(jù)保存時間大于 100 年

　　? 低功耗：

　　– 讀操作工作電流：10 mA（典型值）

　　– 待機(jī)電流：5 μA（典型值）

　　? 靈活的擦除功能

　　– 均一 4 KB 扇區(qū) – 均一 32 KB 覆蓋塊 – 均一 64 KB 覆蓋塊

　　? 快速擦除和字節(jié)編程：

　　– 全片擦除時間：35 ms（典型值）

　　– 扇區(qū) / 塊擦除時間：18 ms（典型值）

　　– 字節(jié)編程時間：7 μs（典型值）

　　? 自動地址遞增（Auto Address Increment，AAI）

　　字編程

　　– 與字節(jié)編程操作相比，可減少總芯片編程時間

　　? 寫操作結(jié)束檢測

　　– 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的 BUSY 位

　　– SO 引腳上的忙狀態(tài)讀出

　　? 保持引腳（HOLD#）

　　– 在不取消選擇器件的情況下暫停存儲器的串行序列

　　? 寫保護(hù)（WP#）

　　– 使能 / 禁止?fàn)顟B(tài)寄存器的鎖定功能

　　? 軟件寫保護(hù)

　　– 通過狀態(tài)寄存器中的塊保護(hù)位實現(xiàn)寫保護(hù)

　　? 溫度范圍

　　– 工業(yè)級：-40°C 至 +85°C

　　? 可用封裝

　　– 8 引腳 SOIC（200 mil）

　　– 8 觸點 WSON（5 X 6 mm）

　　? 所有器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)