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這一系列設備在16位數據總線上提供低電壓下的高性能。單獨的可擦除存儲塊的大小是為了最佳的代碼和數據存儲。初始通電或重置后返回時，設備默認為異步頁面模式讀取。配置RCR啟用同步突發模式讀取。在同步突發模式下，輸出數據與用戶提供的時鐘信號同步。等待信號提供了一個簡單的CPU到閃存的同步。除了增強的體系結構和接口外，該設備還采用了能夠實現快速工廠程序和擦除操作的技術。該設備具有256字的緩沖區，以實現最佳的編程性能，可將系統編程吞吐量時間顯著提高到1.8MByte/s。P33-65nm SBC設備支持VCC在3.0V下的讀取操作，以及VPP在3.0V或9.0V下的擦除和編程操作。緩沖增強的工廠編程提供最快的閃存陣列編程性能與VPP在9.0V，這增加了工廠吞吐量。在3.0V的VPP下，VCC和VPP可以結合在一起，實現簡單、超低功耗的設計。除了電壓靈活性之外，當VPP≤VPPLK時，專用VPP連接還提供完整的數據保護。命令用戶界面是系統處理器和設備所有內部操作之間的界面。內部寫狀態機自動執行塊擦除和程序所需的算法和計時。狀態寄存器指示擦除或程序完成以及可能發生的任何錯誤。工業標準命令序列調用程序并擦除自動化。每次擦除操作都會擦除一個塊。擦除掛起功能允許系統軟件暫停擦除周期以讀取或編程另一個塊中的數據。程序暫停允許系統軟件暫停編程以讀取其他位置。數據以字為增量（16位）編程。一次性可編程（OTP）寄存器允許唯一的閃存設備識別，可用于提高系統安全性。單個塊鎖定功能提供零延遲塊鎖定和解鎖。P33-65nm SBC設備通過密碼訪問模式增加了增強的保護，允許用戶保護對定義塊的寫和/或讀訪問。此外，P33-65nmsbc器件還可以提供全器件OTP永久鎖特性。
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