片式電阻器亦稱表面貼裝電阻器，它與其它片式元器件（SMC及SMD）一樣，是適用于表面貼裝技術(SMT)的新一代無引線或短引線微型電子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。
片式壓敏電阻器(VARISTOR)是壓敏電阻器的一種，它是用氧化鋅非線性電阻元件作為核心而制成的電沖擊保護器件。氧化鋅非線性電阻元件是以氧化鋅(ZnO)為主體材料，添加多種其他微量元素，用陶瓷工藝制成的化合物半導體元件。它的基本特性是電流一電壓關系的非線性。當加在它兩端的電壓低于某個閥電壓，即“壓敏電壓”時，它的電阻值極大，為兆歐級；而當加在它兩端的電壓超過壓敏電壓后，電阻值隨電壓的增高急速下降，可小到歐姆級、毫歐姆級。壓敏電阻器與普通電阻器不同，普通電阻器遵守歐姆定律，而片式壓敏電阻器的電壓與電流則呈特殊的非線性關系。當片式壓敏電阻器兩端所加電壓低于標稱額定電壓值時，其電阻值接近無窮大，內部幾乎無電流流過。當片式壓敏電阻器兩端電壓略高于標稱額定電壓時，它將被迅速擊穿導通，并由高阻狀態變為低阻狀態，工作電流也急劇增大。當其兩端電壓低于標稱額定電壓時，片式壓敏電阻器又能恢復為高阻狀態。當壓敏電阻器兩端電壓超過其最大限制電壓時，壓敏電阻器將完全擊穿損壞，無法再自行恢復。一般而言，片式壓敏電阻器的制作工藝流程如下：疊層，切割，排膠，燒結，倒角，涂敷，端電極，電鍍。
片式壓敏電阻器廣泛地應用在家用電器及其它電子產品中，起過電壓保護、防雷、抑制浪涌電流、吸收尖峰脈沖、限幅、高壓滅弧、消噪、保護半導體元器件等作用。
片式壓敏電阻器的主要參數有：標稱電壓、電壓比、最大控制電壓、殘壓比、通流容量、漏電流、電壓溫度系數、電流溫度系數、電壓非線性系數、絕緣電阻、靜態電容等。
(1) 壓敏電壓(VARISTOR VOLTAGE)?
MYG05K規定通過的電流為0.1mA，MYG07K、MYG10K、MYG14K、MYG20K標稱電壓是指通過1mA直流電流時，壓敏電阻器兩端的電壓值。
所謂壓敏電壓，即擊穿電壓或閾值電壓。指在規定電流下的電壓值，大多數情況下用1mA直流電流通入壓敏電阻器時測得的電壓值，其產品的壓敏電壓范圍可以從10-9000V不等?？筛鶕唧w需要正確選用。一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC，式中，Vp為電路額定電壓的峰值。VAC為額定交流電壓的有效值。ZnO壓敏電阻的電壓值選擇是至關重要的，它關系到保護效果與使用壽命。如一臺用電器的額定電源電壓為220V，則壓敏電阻電壓值V1mA=1.5Vp=1.5×1.414×220V=476V，V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V，因此壓敏電阻的擊穿電壓可選在470-480V之間。?
(2) 最大允許電壓（最大限制電壓MAXIMUM ALLOWABLE VOLTAGE）
此電壓分交流和直流兩種情況，如為交流，則指的是該壓敏電阻所允許加的交流電壓的有效值，以ACrms表示，所以在該交流電壓有效值作用下應該選用具有該最大允許電壓的壓敏電阻，實際上V1mA與ACrms間彼此是相互關聯的，知道了前者也就知道了后者，不過ACrms對使用者更直接，使用者可根據電路工作電壓，可以直接按ACrms來選取合適的壓敏電阻。在交流回路中，應當有：min(U1mA) ≥(2.2~2.5)Uac，式中Uac為回路中的交流工作電壓的有效值。上述取值原則主要是為了保證壓敏電阻在電源電路中應用時，有適當的安全裕度。對直流而言在直流回路中，應當有：min(U1mA) ≥(1.6~2)Udc，式中Udc為回路中的直流額定工作電壓。在信號回路中時，應當有：min(U1mA)≥(1.2~1.5)Umax，式中Umax為信號回路的峰值電壓。壓敏電阻的通流容量應根據防雷電路的設計指標來定。一般而言，壓敏電阻的通流容量要大于等于防雷電路設計的通流容量。
(3) 通流容量( Imax(8/20us))
通流容量也稱通流量，是指在規定的條件（以規定的時間間隔和次數，施加標準的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。一般過壓是一個或一系列的脈沖波。實驗壓敏電阻所用的沖擊波有兩種，一種是為8/20μs波，即通常所說的波頭為8μs波尾時間為20μs的脈沖波，另外一種為2ms的方波。
所謂通流容量，即最大脈沖電流的峰值是環境溫度為25℃情況下，對于規定的沖擊電流波形和規定的沖擊電流次數而言，壓敏電壓的變化不超過±10％時的最大脈沖電流值。為了延長器件的使用壽命，ZnO壓敏電阻所吸收的浪涌電流幅值應小于手冊中給出的產品最大通流量。然而從保護效果出發，要求所選用的通流量大一些好。在許多情況下，實際發生的通流量是很難精確計算的，則選用2-20kA的產品。如手頭產品的通流量不能滿足使用要求時，可將幾只單個的壓敏電阻并聯使用，并聯后的壓敏電壓不變，其通流量為各單只壓敏電阻數值之和。要求并聯的壓敏電阻伏安特性盡量相同，否則易引起分流不均勻而損壞壓敏電阻。?
(4) 最大限制電壓(CLAMPING VOLTAGE (MAX.))?
最大限制電壓是指壓敏電阻器兩端所能承受的最高電壓值，它表示在規定的沖擊電流Ip通過壓敏電阻器兩端所產生的電壓此電壓又稱為殘壓，所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護物的耐壓水平Vo，否則便達不到可靠的保護目的，通常沖擊電流Ip值較大，例如2.5A或者10A，因而壓敏電阻對應的最大限制電壓Vc相當大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A時）。
(5) 最大能量（能量耐量）?
壓敏電阻所吸收的能量通常按下式計算W=kIVT(J)
其中I——流過壓敏電阻的峰值；
V——在電流I流過壓敏電阻時壓敏電阻兩端的電壓；
T——電流持續時間；
k——電流I的波形系數。
對：
2ms的方波? k=1，
8/20μs波? k=1.4，
10/1000μs? k=1.4。
壓敏電阻對2ms方波，吸收能量可達330J每平方厘米；對8/20μs波，電流密度可達2000A每立方厘米，這表明他的通流能力及能量耐量都是很大的。
一般來說壓敏電阻的片徑越大，它的能量耐量越大，耐沖擊電流也越大，選用壓敏電阻時還應當考慮經常遇到能量較小、但出現頻率次數較高的過電壓，如幾十秒、一兩分鐘出現一次或多次的過電壓，這時就應該考慮壓敏電阻所能吸收的平均功率。
(6) 電壓比：電壓比是指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。
(7) 額定功率
在規定的環境溫度下所能消耗的最大功率。
(8) 最大峰值電流( SURGE CURRENT (8/20μs) )
一次以8/20μs標準波形的電流作一次沖擊的最大電流值，此時壓敏電壓變化率仍在±10%以內。2次以8/20μs標準波形的電流作兩次沖擊的最大電流值，兩次沖擊時間間隔為5分鐘，此時壓敏電壓變化率仍在±10%以內。
(9) 殘壓比
流過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則為殘壓與標稱電壓之比。
(10)漏電流
漏電流又稱等待電流，是指壓敏電阻器在規定的溫度和最大直流電壓下，流過壓敏電阻器的電流。
(11) 電壓溫度系數
電壓溫度系數是指在規定的溫度范圍（溫度為20~70℃）內，壓敏電阻器標稱電壓的變化率，即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時，溫度改變1℃時壓敏電阻兩端的相對變化。
(12) 電流溫度系數
電流溫度系數是指在壓敏電阻器的兩端電壓保持恒定時，溫度改變1℃時，流過壓敏電阻器電流的相對變化。?
(13) 電壓非線性系數
電壓非線性系數是指壓敏電阻器在給定的外加電壓作用下，其靜態電阻值與動態電阻值之比。
(14) 絕緣電阻
絕緣電阻是指壓敏電阻器的引出線（引腳）與電阻體絕緣表面之間的電阻值。
(15) 靜態電容
靜態電容是指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
壓敏電阻雖然能吸收很大的浪涌電能量，但不能承受毫安級以上的持續電流，在用作過壓保護時必須考慮到這一點。壓敏電阻的選用，一般選擇標稱壓敏電壓V1mA和通流容量兩個參數。
2? 片式壓敏電阻的應用行業
壓敏電阻主要是用來保護那些易受靜電和高壓等破壞環境的一種電阻，在一些集成化較高，應用功能復雜的環境中應用較多，其中片式壓敏電阻體積小，適應于高度集成化的電子環境。據了解，手持式電子產品的廣泛應用，使得手機、手提電腦、PDA、數碼相機和醫療儀器等產品對電路系統的速度和工作電壓提出更為嚴格的要求。片式壓敏電阻雖因其響應速度快、無極性、成本低以及和SMT工藝兼容等優點而被推到了市場前沿。
在手機中的應用中，由于增加了多種新功能，如彩屏、可拍照、MMS，手機中的IC集成度也越來越高，與此同時，半導體器件和IC的工作電壓越來越低，當芯片變得越來越薄時，遭受過電壓和靜電放電(ESD)危害的幾率大大增加了。由于過電壓和靜電放電對集成電路和半導體器件會造成損壞，因而需要大量的過電壓保護元件來對昂貴的半導體器件提供保護。
片式壓敏電阻行情看好，但同時卻面臨了一個尷尬，片式壓敏電阻由于價格堅挺，一般而言，同種類型的片式壓敏電阻要比DIP型的價格高出3-5倍。以致擴大市場份額的過程中和貼片LED同顯步履蹣跚。元件市場片式壓敏電阻的實際情形是，供應市場不大，需求市場也不大。目前壓敏電阻市場DIP直插產品是主流，SMT產品則是發展趨勢。片式壓敏電阻雖有更大的發展空間，但尚未找到合適的契機。目前，正規渠道的片式壓敏電阻不少是來自臺灣生產的，但現貨市場卻流通著不少非臺灣產的不知名水貨產品。由于水貨的價格和正品相比有一倍之差，也有客戶樂意買水貨產品。
3? 片式壓敏電阻的規模
3.1 特色市場需求
2008年來片式壓敏電阻的潛在規模巨大，未來片式壓敏電阻市場發展極其強勁，今后幾年全球市場的年增長率將保持在15%，而銷售額每年將增長11%。到2010年全球貼片式壓敏電阻的年產量將達到400億只。
由于目前大部分片式壓敏電阻都應用在手機中，因此有關專業人士做了一個估計，平均每部手機中要使用的片式壓敏電阻為10-15個，當手機中功能不斷增加，諸如集成數碼相機功能后，每部手機中需要的壓敏電阻數量更多。 以中國2008年1.6億部手機的產量來估算，片式壓敏電阻的每年消耗量就已經超過18億只。而手機的發展可謂方興未艾，隨著新的客戶群體的開發以及由于新功能增多帶來的換機熱潮的到來，中國手機市場的發展速度將繼續高于全球的增長水平。由此可見，手機市場對壓敏電阻的需求將穩步！
2009年中國手機市場將迎來新的增長點，國家加大3G這塊的投入，帶動手機銷量會更上一個新的臺階，據有關數據調研機構預測2009年手機年增長率達到7.7%，約2.4000萬只的規模，片式壓敏電阻的年消耗量預計會超過超過50億只！
3.2 片式電阻的發展狀況
2008年全球主要應用整機產量：PC機3022億臺，同比增長3%，移動電話1.6億臺，同比下降1.5%。受全球金融危機的影響，近兩年整機的發展速度會有所放緩，但從整機的發展趨勢看，片式電阻的發展空間是很大的。專家預測，在品種分配上，0603型所占比例將會保持不變，約占40-50%；0805型將會以20%的速度遞減；0402型將會以20-25%的速度遞增。
因為競爭激烈和制作成本的降低，全球各整機及元器件的生產商們紛紛將自己的部分生產任務轉移到海外的生產基地，尤其是中國大陸的生產基地，而只在本地生產高附加值的高檔產品?？梢哉f我國內地片式電阻器的市場競爭將會更加激烈和殘酷。
目前，在全球片式電阻的總銷售量中，日本占30%~40%，臺灣占50%左右。臺灣國巨(yageo)公司已成為世界上片式電阻的第一大生產商，近年來國巨在中國大陸市場繼續擴大，芯片電阻市場第一，為39%，MLCC市場份額為13%，0201芯片電阻，芯片排阻和高容MLCC也是成功應用手機、MP3/MP4、智能手機，2000年生產片式電阻100億只/月，2003年年底的生產能力達到300億只/月，發展速度極其驚人。據依萊達咨詢估計，2008年全球片式電阻的總生產能力達到27，000億只。
中國片式電阻產業在1995年以后得到了超高速發展。一方面內資企業如風華高科、北海銀河、振華科技等企業迅速發展壯大；另一方面，大量的國際電阻廠商紛紛將生產基地向大陸轉移，在內資和外資的共同推動下，中國片式電阻的產量從1995年的18.8億只激增至2000年的838億只，5年間平均發展速度超過100%，2001年達到925億只，2002年達到1110億只，2004年達到2180億只， 2006年可達到6000億只，預計2009年可達到9000億只2006年中國片式電阻生產能力超過6000億只，占同期全球片式電阻總生產能力的54.44%，中國已經成為全球片式電阻生產大國。（數據來源：依萊達咨詢）
目前，中國片式電阻制造商基本上是內資、臺資和日系企業三分天下，廠商布局主要分布于華東和華南地區。日本的KOA和京瓷、韓國的三星以及臺灣地區的國巨、旺荃、厚聲等在華南和華東地區建立了大量的生產廠，本地化的制造壓縮了本土廠商原有的優勢，對大陸企業的威脅日益增強。
4? 競爭狀況
中國片式電阻產業在1995年以后得到了超高速發展。一方面內資企業如風華高科、北海銀河、振華科技等企業迅速發展壯大；另一方面，大量的國際電阻廠商紛紛將生產基地向大陸轉移，目前，中國片式電阻制造商基本上是內資、臺資和日系企業三分天下，廠商布局主要分布于華東和華南地區。日本的KOA和京瓷、韓國的三星以及臺灣地區的國巨、旺荃、厚聲等在華南和華東地區建立了大量的生產廠，目前，這些廠家大部分都有片式壓敏電阻的生產能力。
片式壓敏電阻，目前已經開始生產片式壓敏電阻的企業主要是日本的TDK及臺灣的一些企業，大陸本土的主要是常州星翰科技，這是國家863計劃重點項目，計劃在今年形成1.9億片的生產能力，產值可達1000萬美元，并最終能夠為OEM廠家、分銷商和電子制造企業每年提供12億片0402型片式壓敏電阻。此外，廣東風華高新科技股份有限公司、南陽金冠集團有限責任公司等也是片式壓敏電阻的生產企業。
5? 國家規劃及整體趨勢
5.1 世界市場需求分析
按照我國電子元件15個大類產品統計，2005年世界電子元件市場銷售額將達到2200億美元，預計2010年世界電子元件市場將達到3614億美元，產品產量將達到38400億只。國際市場，據日本電子工業振興會對世界電子信息產業發展預測，2010年世界電子信息制造業市場將達19055億美元，其中，電子元件市場將達2800億美元，占14.7%。2005年至2010年年均增長5.4%。另據報道，全球片式元器件產量將從2005年15000億只，增至2010年25000億只，年均增長13%。國內市場，據市場咨詢和顧問機構IDC預測，中國IT市場從2003年至2008年，將以15.6%年復合增長率保持快速增長，市場前景良好。據SMT預測，2010年中國電子產品市場7200億美元，按照我國電子信息制造業2005年將實現銷售收入31100億元（比“九五”期末翻兩番）計算，2010年我國電子信息產業將可實現銷售收入60000-64000億元（比“十五”期末再翻一番），為電子元件提供了巨大的國內市場。在全球化的浪潮中，企業兼并重組，產業梯次轉移，特別是世界電子元件產業規模不斷擴大，生產集中度不斷提高，新材料、新工藝、新設備大量涌現，電子元件的技術又有了新的進展，主要表現在：片式化、小型化已成為衡量電子元件技術發展水平的重要標志之一，世界各國包括亞太地區、印度等發展中國家和地區，各類電子元件均已有相應的片式化產品。其中，片式電容、片式電阻、片式電感三大無源元件，約占全球片式元件總產量的85%-90%。電子元件片式化的同時，小型化也在迅速發展，不僅傳統元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。以MLCC為例，1980年主流產品型式為3216（32×1.6×12mm），2002年為1005(1.0×0.5×0.5mm)，2005年0603(0.6×0.3×0.3mm)已成為主流產品型式，產品的體積已經縮小到1980年時的1%。復合化、集成化隨著電子設備的輕薄小型化的進程加快，電子元件復合化和集成化的步伐也在加快，片式電阻網絡技術早已成熟，1005型4連的片式電阻網絡應用急速增長，片式MLCC網絡1608型4連、1005型2連產品已批量生產。由于LTCC工藝技術的迅猛發展，片式集成無源元件(IPD)已在手機、局域網、藍牙等領域獲得應用。預計2005年，12%手機中的無源元件將被IPD取代。高性能化、高頻化電子設備的微波波段已成為重要的發展趨勢，要求電子元件的使用頻段向更高的方向發展。電容器主要是降低ESR（等效串聯電阻）和ESL（等效串聯電感），如3212型三端電容器（2200pf），ESL=0.03nH，ESR=32mQ，分別為常規產品的1/12和1/8,片式電感器的使用頻率已達到12GHz，射頻同軸連接器的工作頻率已達110GHz。高工作溫度的需求在地質勘探、汽車電子和航空航天領域日益高漲，-55℃~+150℃和-55℃~+300℃的陶瓷電容器，-55℃~+175℃和-55℃~+300℃的有機薄膜電容器，150℃2000H高溫的鋁電解電容器已經面世，500℃~1100℃的高溫熱敏電阻已在汽車電子中獲得應用。
5.2 國內市場需求分析
“十一五”期間，隨著世界電子信息產品制造業將加快向中國轉移，我國電子信息產品制造業的規模將進一步擴大，從而將進一步拉動電子材料和元器件市場的迅速擴大。市場規模將由2005年1.15萬億元增長到2010年的3.1萬億元，其中，2010年電子元件市場將達到2萬億元，電子器件將達9000億元，電子材料將達到2000億元。
表1列出主要元器件和材料產品國內外銷售收入和市場的預測。
5.3 產業發展面臨的環境
未來幾年，隨著下一代互聯網、新一代移動通信、數字電視的逐步推進，電子整機產業的升級換代將為電子元器件產業的發展帶來大量的市場機遇，并帶動相關電子材料產業的快速發展。
隨著綜合國力的提高，投入能力不斷提升，國家和企業重視程度不斷加深。國家科技中長期規劃、國民經濟和社會發展第十一個五年規劃綱要以及信息產業“十一五”規劃中重大專項實施，TFT-LCD、LED等產業的專項扶持政策落實，國家電子信息產業園建設工作不斷深入，將為電子基礎產品產業的健康發展創造更為有利的宏觀環境。
未來幾年，電子整機產品的更新換代，對電子材料和元器件產業的發展提出了更高的要求。新技術、新產品的開發和產業化所需的技術和資金門檻越來越高，投資風險增大，產品更新換代速度進一步加快，電子信息產業鏈垂直整合和企業橫向整合趨勢將更加明顯，產業集中度不斷提高，國內企業面臨嚴峻挑戰。
同時，跨國公司在加快低附加值產業對外轉移的同時，牢牢控制著高端元器件和關鍵電子材料等產業鏈核心環節，關鍵技術受制于人的局面短期內將難以改變。
5.4 “十一五”發展思路和目標
5.4.1 發展思路
“十一五”期間，繼續鞏固我國在傳統元器件和部分電子材料領域的優勢，進一步推進產品結構調整和技術升級。堅持跟蹤與突破相結合、引進與創新相結合，有所為有所不為，集中力量，重點突破量大面廣新型元器件、新型顯示器件、關鍵電子材料，形成一批擁有自主知識產權和國際競爭力的優勢企業。
新型元器件產業：以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標，突破關鍵技術，調整產品結構；促進產業鏈上下游互動發展，著力培育骨干企業，推動產業結構升級。
新型顯示器件產業：面向數字化、高清晰化、平板化需求，優先發展TFT-LCD和PDP，促進產業鏈垂直整合，擴大產業規模，培育自主創新能力；重點支持新一代平板顯示器件和投影器件的工藝和生產技術開發，力爭實現產業化；加快傳統彩管產業戰略轉型，積極發展高清晰度、短管頸等高端產品。
電子材料產業：加強國際合作，推動產用結合，突破部分關鍵技術，縮小電子材料與國外先進水平的差距。重點發展技術含量高、市場前景好的電子信息材料，提高國內自主配套能力；注重環保型電子材料的開發。
5.4.2 發展目標
到2010年，我國電子元器件總產量達到1.8萬億只，電子材料和元器件銷售收入力爭達到2.5萬億元，工業增加值達到6000億元，出口創匯600億美元。培育2-3家銷售收入超過500億元，10家以上銷售收入100億元的電子元器件企業。新型元器件產業：到2010年，銷售收入1.8萬億元，阻容感片式化率達到90%。電子元器件國際市場占有率達到30%，國內市場占有率達到50%。電子元件百強企業的銷售收入占元件全行業的40%以上。新型顯示器件產業：到2010年，建立較為完備的新型顯示器件生產體系，產業鏈基本齊全，新型顯示器件產業達到規模2500億元，有較強的國際競爭力。建立以企業為主體，產學研相結合的創新體系，形成可持續發展能力。逐步提高國產化水平，實現中、高檔產品滿足國內市場需求的50%以上，中、低檔產品基本滿足國內市場的需求。
電子材料產業：“十一五”期間，我國電子材料產業規模力爭達到1000億元，國內平均自我配套能力在30%以上，培育若干名牌產品和重點企業，主要電子信息材料的技術水平和產品性能與當時的國際水平相當。并形成相應的產業規模。