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靜電放電（ESD）保護(hù)裝置發(fā)揮作用
從浪涌保護(hù)電子產(chǎn)品中的重要作用和ESD事件。選擇合適的ESD裝置一個(gè)給定的應(yīng)用程序需要了解兩者需要保護(hù)和理解的系統(tǒng)ESD二極管的特性。ESD設(shè)備不能破壞系統(tǒng)的功能，它是保護(hù)期間正常操作，但也必須迅速作出反應(yīng)分流浪涌期間對(duì)地的危險(xiǎn)電流和電壓尖峰和ESD事件。
此應(yīng)用筆記將定義參數(shù)，可以在ESD保護(hù)二極管/電視的數(shù)據(jù)和發(fā)現(xiàn)解釋每個(gè)參數(shù)的相關(guān)性。
DC Parameters The key DC parameters of an ESD diode are presented below. A typical IV characteristic curve for a unidirectional ESD diode is shown in Figure 1.
VBR = Breakdown Voltage @ IT VRWM = Reverse Working Voltage @ IR （VRWM （typ） = 0.8 x VBR） IT = Test Current IPP = Maximum Reverse Peak Pulse Current （Typically Specified with either the 8x20 s or 10x1000 s Surge Pulse） VC = Clamping Voltage @ IPP
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