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隨著集成電路的發展，尤其是智能功率集成電路的發展，對功率器件提出了越來越高的要求。LDMOS由于它的電極均可以在器件的表面引出，因而可以與主流的VLSI集成電路丁藝技術相兼容，成為了功率集成電路的首選，并廣泛應用于LED驅動、電源管理及汽車電子等領域。對于LDMOS來說，比導通電阻和擊穿電壓是兩個重要的參數，同時相互影響，降低比導通電阻和提高擊穿電壓是器件的設計與研究的熱點與難點。目前采用的技術主要有以下幾種：場板技術，橫向變摻雜技術，埋層技術，超結技術，降低表面電場（RESURF）技術等技術，它們對器件擊穿電壓和比導通電阻的改善起到了很大的作用。
RESURF技術是在LDMOS器件設計中廣泛應用的一種技術，它是利用橫向與縱向兩個PN結的耗盡層相互作用，就是器件在表面電場達到臨界電場之前，使漂移區在縱向上完全耗盡，從而使擊穿點由表面轉移到體內，進而提高擊穿電壓。目前研究最多的是雙RESURF LDMOS器件，它是在單RESURF的基礎上，在漂移區頂部注入與漂移區摻雜相反的雜質，利用其輔助耗盡來改善器件的性能。
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