1.6 場(chǎng)效應(yīng)管：

　　定義：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫FET），簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)ET是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。

　　由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS-FET）。

　　它屬于電 控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

　　1.6.1場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：

　　（1）JFET 工作原理：N溝道JFET工作時(shí)，

　　必須在柵極和源極之間加一個(gè)負(fù)電壓， JFET示意圖

　　VGS《 0，在D-S間加一個(gè)正電壓 VDS》0，在電場(chǎng)作用電流由漏極流向源極，形成電流iD.柵極與溝道間的PN結(jié)反偏，柵極電流iG接近0，隨著VGS減小，PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，溝道變窄，溝道電阻變大，ID減小；VGS更負(fù)時(shí)，溝道更窄，ID更小；直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷， ID≈0。這時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP

　　MOSFET 工作原理：

　　利用VGS的大小來控制半導(dǎo)體表面“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，從而達(dá)到控制漏極電流大小的目的。

　　場(chǎng)效應(yīng)管：

　　1.6.2場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)：

　　（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；

　　（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

　　（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

　　（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

　　（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。