IGBT又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。因此，可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。 它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具備易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高（10-40kHz）等特點(diǎn)，已逐步取代晶閘管和門極可關(guān)斷晶閘管（GTO），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、 UPS 及逆變焊機(jī)當(dāng)中。 IGBT的工作原理 IGBT由柵極G、發(fā)射極E和集電極C三個(gè)極控制。 如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。 由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。 圖1 IGBT結(jié)構(gòu)圖 圖2 IGBT電氣符號(hào)(左)與等效的電路圖(右) 如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動(dòng)電壓過低則IGBT不能穩(wěn)定的工作；如果過高甚至超過柵極—發(fā)射極之間的耐壓，則IGBT可能會(huì)永久損壞。 同樣，如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過允許值，則流過IGBT的電流會(huì)超限，導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫超過允許值，此時(shí)IGBT也有可能會(huì)永久損壞。 IGBT極性判斷 對(duì)IGBT進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，應(yīng)選用指針式萬用表。首先將萬用表?yè)艿絉×1kΩ檔，用萬用表測(cè)量各極之間的阻值。若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則此極為柵極G。再用萬用表測(cè)量其余兩極之間的阻值，若測(cè)得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后阻值較小，當(dāng)測(cè)量阻值較小時(shí)，紅表筆接觸的為集電極C，黑表筆接觸的為發(fā)射極E。