"晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件" 在電子元件家族中，三極管屬于半導(dǎo)體主動(dòng)元件中的分立元件。 廣義上，三極管有多種，常見如下圖所示。 狹義上，三極管指雙極型三極管，是最基礎(chǔ)最通用的三極管。 本文所述的是狹義三極管，它有很多別稱: 三極管的發(fā)明 晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。 真空電子管存在笨重、耗能、反應(yīng)慢等缺點(diǎn)。 二戰(zhàn)時(shí)，軍事上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號放大元件，研究成果在二戰(zhàn)結(jié)束后獲得。 早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后，由于硅管生產(chǎn)工藝很高效，鍺管逐漸被淘汰。 經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展，三極管種類繁多，形貌各異。? 小功率三極管一般為塑料包封； 大功率三極管一般為金屬鐵殼包封。 三極管核心結(jié)構(gòu) 核心是“PN”結(jié)，是兩個(gè)背對背的PN結(jié)，可以是NPN組合，也或以是PNP組合。 由于硅NPN型是當(dāng)下三極管的主流，以下內(nèi)容主要以硅NPN型三極管為例！ NPN型三極管結(jié)構(gòu)示意圖 硅NPN型三極管的制造流程 管芯結(jié)構(gòu)切面圖 工藝結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 發(fā)射區(qū)高摻雜：為了便于發(fā)射結(jié)發(fā)射電子，發(fā)射區(qū)半導(dǎo)體摻濃度高于基區(qū)的摻雜濃度，且發(fā)射結(jié)的面積較小; 基區(qū)尺度很薄:3~30μm，摻雜濃度低; 集電結(jié)面積大：集電區(qū)與發(fā)射區(qū)為同一性質(zhì)的摻雜半導(dǎo)體，但集電區(qū)的摻雜濃度要低，面積要大，便于收集電子。 三極管不是兩個(gè)PN結(jié)的間單拼湊，兩個(gè)二極管是組成不了一個(gè)三極管的！ 工藝結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相當(dāng)重要，PN結(jié)不同材料成份、尺寸、排布、摻雜濃度和幾何結(jié)構(gòu)，能制成各樣各樣的元件，包括IC。 三極管電路符號 三極管電流控制原理示意圖 三極管基本電路 外加電壓使發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。 集/基/射電流關(guān)系： IE = IB IC IC = β * IB 如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0