資料介紹
鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來,是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料,應用領域非常廣泛,尤其在新一代移動設備中,是良好的高功率放大器,例如:下變頻器、低噪聲放大器(LNA)、前置放大器(Preamplifier)、WLAN功率放大器等。由于SiGe技術具有高頻特性,現已廣泛應用在電子測試產品中,如泰克(Tektronix)公司的TDS7000系列高頻示波器,帶寬高達15GHz,那么什么是SiGe技術呢? SiGe技術具有很多極具吸引力的優點。作為硅材料中的“小兄弟,SiGe既擁有硅工藝的集成度和成本優勢,又具有第3類到第5類半導體(GaAs)和磷化銦(lnP)速度方面的優點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感,就可以采用 SiGe半導體技術集成高質量無源部件。此外,通過控制鍺摻雜還可設計器件隨溫度進行變化。
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