本文先容了一種L波段單級高線性低噪聲放大器的工作原理和設計方法。與傳統的接收機射頻前端放大器主要考慮低噪聲和高增益特性不同，文中選用了低本錢、低功耗的SiGe NPN BJT器件設計高三階交截點的低噪聲放大器。設計中利用了微波 CAD工具對電路進行仿真與優化，同時對天生的微帶印刷電路板進行了電磁仿真。

　　隨著無線通訊事業的不斷發展，人們對無線系統的射頻接收機提出了越來越高的要求，比如低功耗、低噪聲、大動態范圍、高靈敏度和高線性度等。因此，處于接收機最前真個放大器對于進步系統性能起到了關鍵作用。傳統的研究主要集中在如何獲得低噪聲和高增益特性上，對接收前端放大器高線性度題目的研究經常被忽略。 Ansoft公司的Designer軟件包是集電路和電磁仿真于一體的強大CAD工具。設計中，利用該軟件對放大器的三階互調和噪聲等性能進行仿真和優化，同時對天生的PCB進行了電磁仿真，得到了令人滿足的設計結果。這種低本錢、低功耗和高線性的 LNA可廣泛應用于PCS波段以及CDMA蜂窩移動手機中。

　　1 高線性低噪聲放大器原理設計

　　1. 1 系統考慮與主要指標要求

　　在移動通訊系統設計中，低噪聲放大器處于接收機的射頻最前端，如圖1所示。因此，系統的噪聲性能和線性度主要取決于該前端放大器的噪聲性能和線性特性。這里設計的放大器主要技術指標：工作頻率范圍f =1950 MHz;增益G 》14dB;噪聲系數Nf 《 1.1dB;輸出1dB;壓縮點OP1dB》+ 5 dBm;輸出三階交截點OIP3 》 + 24dBm輸進輸出回波損耗RL《10dB。

　　1. 2 器件選擇與偏置電路設計

　　隨著微電子工藝的不斷進步，已能選擇到噪聲性能好、線性度高同時價格又便宜的雙極晶體管，可以實現高線性低噪聲放大器。直流偏置決定了晶體管的靜態工作點，因而也就決定了放大器的各種性能。但這些性能參數經常相互矛盾、彼此制約，因此， 在考慮直流偏置點時，通常要在各種特定指標，如增益、線性度、噪聲系數和功率消耗等之間作出折衷的選擇。盡管大電流可以改善線性度和增益，但同時也帶來噪聲系數的增加。通過增加集- 射極電壓可以改進電路的線性度，但是當接近擊穿電壓（BVCEO） 時，噪聲系數會由于電壓擊穿而開始惡化。設計所選器件的最小擊穿電壓為2.3V，因此，在綜合考慮各種特定指標要求的情況下選擇C-E極間偏置電壓Vce=2.0V和集電極偏置電流Ic=8 mA。電阻R3將電源電壓由3V降低到2.1V， R2給晶體管的基極提供電壓偏置， R1起到改善放大器穩定度的作用。圖2所示偏置電路簡單實用，并提供適當數目的負反饋用于補償由于器件的離散性和整個寬溫（ -40℃～+85℃）工作范圍內直流增益β的變化。其反饋原理是：假如溫度變化或器件離散性使直流增益β產生變化而導致器件電流增加，則電阻R3壓降會增加，這樣基極電壓 VB會減少，從而器件電流減小，因此提供了直流負反饋，使器件的靜態工作點穩定。