ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低 35%左右。此次，針對 SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會社的應用工程師。關于 SiC MOSFET 的 SCT3xxx xR 系列，除了導通電阻很低，還通過采用 4 引腳封裝使開關損耗降低了 35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以 4 引腳封裝為重點介紹一下該產品。首先，請您大致講一下 4 引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用 4 引腳封裝是為了改善 SiC MOSFET 的開關損耗。包括 SiC MOSFET 在內的電源開關用 MOSFET 和 IGBT，被作為開關元件廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關元件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發布了一種 4 引腳的新型封裝，即在 MOSFET 的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設置了驅動器源極引腳。此次的 SCT3xxx xR 系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結構，實現更低的導通電阻和傳導損耗；通過采用 4 引腳封裝，進一步發揮出 SiC 本身具有的高速開關性能，并降低開關損耗。那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現的幾個要點。首先，什么是“驅動器源極引腳”？驅動器源極引腳是應用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的 4 個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種 4 引腳封裝僅限源極，通過使連接柵極驅動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨立，來消除 ID 對柵極驅動電路的影響。