某行車(chē)記錄儀，測(cè)試的時(shí)候要加一個(gè)外接適配器，在機(jī)器上電運(yùn)行測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點(diǎn)是 84MHz、144MHz、 168MHz，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對(duì)策。輻射測(cè)試數(shù)據(jù)如下：

　　輻射源頭分析

　　該產(chǎn)品只有一塊 PCB，其上有一個(gè) 12MHz 的晶體。其中超標(biāo)頻點(diǎn)恰好都是 12MHz 的倍頻，而分析該機(jī)器容易 EMI 輻射超標(biāo)的屏和攝像頭，發(fā)現(xiàn) LCD-CLK 是 33MHz，而攝像頭 MCLK 是 24MHz；通過(guò)排除發(fā)現(xiàn)去掉攝像頭后，超標(biāo)點(diǎn)依然存在，而通過(guò)屏蔽 12MHz 晶體，超標(biāo)點(diǎn)有降低，由此判斷 144MHz 超標(biāo)點(diǎn)與晶體有關(guān)，PCB 布局如下：

　　輻射產(chǎn)生的原理

　　從 PCB 布局可以看出，12MHz 的晶體正好布置在了 PCB 邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測(cè)試環(huán)境中時(shí)，被測(cè)產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考地會(huì)形成一定的容性耦合，產(chǎn)生寄生電容，導(dǎo)致出現(xiàn)共模輻射，寄生電容越大，共模輻射越強(qiáng)；而寄生電容實(shí)質(zhì)就是晶體與參考地之間的電場(chǎng)分布，當(dāng)兩者之間電壓恒定時(shí)，兩者之間電場(chǎng)分布越多，兩者之間電場(chǎng)強(qiáng)度就越大，寄生電容也會(huì)越大，晶體在 PCB 邊緣與在 PCB 中間時(shí)電場(chǎng)分布如下：